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聚合物场效应晶体管的制备以及性能研究

学位论文数据集第3-4页
摘要第4-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第14-42页
    1.1 有机场效应晶体管简介第14-20页
        1.1.1 有机场效应晶体管的结构和工作原理第14-18页
        1.1.2 有机场效应晶体管的基本参数第18-20页
        1.1.3 有机场效应晶体管中载流子的传输模型第20页
    1.2 有机场效应晶体管的制备技术第20-26页
        1.2.1 真空蒸镀技术第20-21页
        1.2.2 溶液法制备技术第21-24页
        1.2.3 光刻技术第24页
        1.2.4 喷墨打印技术第24-25页
        1.2.5 印章技术第25-26页
    1.3 有机场效应晶体管中薄膜的表征技术第26-29页
        1.3.1 透射电子显微镜第26-27页
        1.3.2 X射线衍射和掠入射X射线衍射第27-28页
        1.3.3 原子力显微镜第28-29页
    1.4 有机场效应晶体管材料第29-38页
        1.4.1 有机半导体材料第29-35页
        1.4.2 有机场效应绝缘层材料第35-38页
        1.4.3 有机场效应晶体管电极第38页
    1.5 有机场效应晶体管的应用第38-40页
        1.5.1 射频识别标签第39页
        1.5.2 有机场效应晶体管存储器第39-40页
        1.5.3 电子纸第40页
    1.6 本论文的选题依据与意义第40-42页
第二章 基于萘并二杂环的给受体共聚物OFETs的制备、表征及性能研究第42-51页
    2.1 引言第42-43页
    2.2 实验部分第43-45页
        2.2.1 实验试剂以及仪器第43-44页
        2.2.2 萘并二杂环聚合物的分子量第44页
        2.2.3 基于萘并二杂环聚合物的OFETs制备及表征第44-45页
    2.3 结果和讨论第45-50页
        2.3.1 基于萘并二杂环的场效应晶体管器件性能第45-47页
        2.3.2 萘并二杂环系列的薄膜形貌结构表征第47-50页
    2.4 小结第50-51页
第三章 基于萘并二呋喃给-受体共聚物的高性能场效应晶体管第51-62页
    3.1 引言第51-52页
    3.2 实验部分第52-53页
        3.2.1 实验试剂以及仪器第52-53页
        3.2.2 萘并二呋喃给-受体共聚物的分子量第53页
        3.2.3 基于萘并二呋喃给-受体共聚物的OFETs制备及表征第53页
    3.3 结果与讨论第53-61页
        3.3.1 基于萘并二呋喃共聚物场效应晶体管基本电学性能测试及优化第53-57页
        3.3.2 薄膜形貌表征第57-61页
    3.4 小结第61-62页
第四章 基于烷基苯取代的萘并二噻吩给-受体共聚物的场效应晶体管第62-70页
    4.1 引言第62-63页
    4.2 实验部分第63-64页
        4.2.1 实验试剂以及仪器第63-64页
        4.2.2 PNDTP-DPP共聚物的分子量第64页
        4.2.3 基于PNDTP-DPP共聚物的OFETs制备及表征第64页
    4.3 结果和讨论第64-69页
        4.3.1 基于PNDTP-DPP的场效应晶体管基本电学性能测试及优化第64-67页
        4.3.2 PNDTP-DPP薄膜形貌结构表征第67-69页
    4.4 小结第69-70页
第五章 总结与展望第70-72页
    5.1 总结第70页
    5.2 展望第70-72页
参考文献第72-80页
致谢第80-82页
研究成果及发表的学术论文第82-84页
作者简介第84页
导师简介第84-85页
北京化工大学硕士研究生学位论文答辩委员会决议书第85-86页

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