学位论文数据集 | 第3-4页 |
摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第14-42页 |
1.1 有机场效应晶体管简介 | 第14-20页 |
1.1.1 有机场效应晶体管的结构和工作原理 | 第14-18页 |
1.1.2 有机场效应晶体管的基本参数 | 第18-20页 |
1.1.3 有机场效应晶体管中载流子的传输模型 | 第20页 |
1.2 有机场效应晶体管的制备技术 | 第20-26页 |
1.2.1 真空蒸镀技术 | 第20-21页 |
1.2.2 溶液法制备技术 | 第21-24页 |
1.2.3 光刻技术 | 第24页 |
1.2.4 喷墨打印技术 | 第24-25页 |
1.2.5 印章技术 | 第25-26页 |
1.3 有机场效应晶体管中薄膜的表征技术 | 第26-29页 |
1.3.1 透射电子显微镜 | 第26-27页 |
1.3.2 X射线衍射和掠入射X射线衍射 | 第27-28页 |
1.3.3 原子力显微镜 | 第28-29页 |
1.4 有机场效应晶体管材料 | 第29-38页 |
1.4.1 有机半导体材料 | 第29-35页 |
1.4.2 有机场效应绝缘层材料 | 第35-38页 |
1.4.3 有机场效应晶体管电极 | 第38页 |
1.5 有机场效应晶体管的应用 | 第38-40页 |
1.5.1 射频识别标签 | 第39页 |
1.5.2 有机场效应晶体管存储器 | 第39-40页 |
1.5.3 电子纸 | 第40页 |
1.6 本论文的选题依据与意义 | 第40-42页 |
第二章 基于萘并二杂环的给受体共聚物OFETs的制备、表征及性能研究 | 第42-51页 |
2.1 引言 | 第42-43页 |
2.2 实验部分 | 第43-45页 |
2.2.1 实验试剂以及仪器 | 第43-44页 |
2.2.2 萘并二杂环聚合物的分子量 | 第44页 |
2.2.3 基于萘并二杂环聚合物的OFETs制备及表征 | 第44-45页 |
2.3 结果和讨论 | 第45-50页 |
2.3.1 基于萘并二杂环的场效应晶体管器件性能 | 第45-47页 |
2.3.2 萘并二杂环系列的薄膜形貌结构表征 | 第47-50页 |
2.4 小结 | 第50-51页 |
第三章 基于萘并二呋喃给-受体共聚物的高性能场效应晶体管 | 第51-62页 |
3.1 引言 | 第51-52页 |
3.2 实验部分 | 第52-53页 |
3.2.1 实验试剂以及仪器 | 第52-53页 |
3.2.2 萘并二呋喃给-受体共聚物的分子量 | 第53页 |
3.2.3 基于萘并二呋喃给-受体共聚物的OFETs制备及表征 | 第53页 |
3.3 结果与讨论 | 第53-61页 |
3.3.1 基于萘并二呋喃共聚物场效应晶体管基本电学性能测试及优化 | 第53-57页 |
3.3.2 薄膜形貌表征 | 第57-61页 |
3.4 小结 | 第61-62页 |
第四章 基于烷基苯取代的萘并二噻吩给-受体共聚物的场效应晶体管 | 第62-70页 |
4.1 引言 | 第62-63页 |
4.2 实验部分 | 第63-64页 |
4.2.1 实验试剂以及仪器 | 第63-64页 |
4.2.2 PNDTP-DPP共聚物的分子量 | 第64页 |
4.2.3 基于PNDTP-DPP共聚物的OFETs制备及表征 | 第64页 |
4.3 结果和讨论 | 第64-69页 |
4.3.1 基于PNDTP-DPP的场效应晶体管基本电学性能测试及优化 | 第64-67页 |
4.3.2 PNDTP-DPP薄膜形貌结构表征 | 第67-69页 |
4.4 小结 | 第69-70页 |
第五章 总结与展望 | 第70-72页 |
5.1 总结 | 第70页 |
5.2 展望 | 第70-72页 |
参考文献 | 第72-80页 |
致谢 | 第80-82页 |
研究成果及发表的学术论文 | 第82-84页 |
作者简介 | 第84页 |
导师简介 | 第84-85页 |
北京化工大学硕士研究生学位论文答辩委员会决议书 | 第85-86页 |