| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 SOI技术概述 | 第10-11页 |
| 1.2 SOI功率器件研究现状 | 第11-16页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第16-17页 |
| 第二章 一种可集成低比导通电阻SOI LDMOS的研究与实验 | 第17-43页 |
| 2.1 器件结构与工作机理 | 第17-20页 |
| 2.1.1 器件结构特征与关键参数 | 第17-18页 |
| 2.1.2 耐压与导通机理分析 | 第18-20页 |
| 2.2 关键参数的优化设计 | 第20-26页 |
| 2.2.1 介质槽宽度 | 第21-22页 |
| 2.2.2 介质槽深度 | 第22-23页 |
| 2.2.3 顶层硅厚度 | 第23-24页 |
| 2.2.4 埋氧层厚度 | 第24-26页 |
| 2.3 与常规结构的特性对比 | 第26-29页 |
| 2.4 一种与CMOS兼容的工艺方案设计 | 第29-36页 |
| 2.4.1 与CMOS工艺对比 | 第30-31页 |
| 2.4.2 工艺方案的关键步骤 | 第31-36页 |
| 2.5 器件版图设计 | 第36-38页 |
| 2.6 测试结果与分析 | 第38-41页 |
| 2.7 本章小结 | 第41-43页 |
| 第三章 双面电荷槽SOI LDMOS新结构特性研究 | 第43-56页 |
| 3.1 器件结构与工作机理 | 第43-46页 |
| 3.1.1 器件结构特征与关键参数 | 第43-44页 |
| 3.1.2 耐压与导通机理分析 | 第44-46页 |
| 3.2 关键参数的优化设计 | 第46-50页 |
| 3.2.1 氧化物槽深度 | 第46-47页 |
| 3.2.2 氧化物槽宽度 | 第47-48页 |
| 3.2.3 氧化物槽阶梯宽度 | 第48-49页 |
| 3.2.4 电荷槽宽度 | 第49-50页 |
| 3.3 与常规结构的特性对比 | 第50-54页 |
| 3.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 第四章 一种低导通电阻槽型SOI LDMOS新结构特性研究 | 第56-68页 |
| 4.1 器件结构与工作机理 | 第56-57页 |
| 4.1.1 器件结构特征与关键参数 | 第56-57页 |
| 4.1.2 耐压与导通机理分析 | 第57页 |
| 4.2 关键参数的优化设计 | 第57-60页 |
| 4.2.1 P岛长度 | 第58页 |
| 4.2.2 P岛厚度 | 第58-59页 |
| 4.2.3 P条掺杂浓度 | 第59-60页 |
| 4.2.4 P条宽度 | 第60页 |
| 4.3 与其它结构的特性对比 | 第60-64页 |
| 4.4 一种可行的工艺方案设计 | 第64-66页 |
| 4.5 本章小结 | 第66-68页 |
| 第五章 结论 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 攻读硕士学位期间取得成果 | 第73-74页 |
