二氧化锡纳米线形貌控制及气敏性研究
摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
1 绪论 | 第12-24页 |
1.1 课题研究目的及意义 | 第12-14页 |
1.2 纳米材料简介 | 第14页 |
1.3 纳米效应 | 第14-15页 |
1.3.1 隧道效应 | 第14页 |
1.3.2 量子尺寸效应 | 第14-15页 |
1.3.3 小尺寸效应 | 第15页 |
1.3.4 表面效应 | 第15页 |
1.4 SnO_2材料简介 | 第15-16页 |
1.5 纳米 SnO2的制备方法 | 第16-20页 |
1.5.1 物理方法 | 第16页 |
1.5.2 化学方法 | 第16-20页 |
1.5.3 小结 | 第20页 |
1.6 气体传感器简介 | 第20-21页 |
1.7 半导体气体传感器简介 | 第21-22页 |
1.7.1 半导体气体传感器类别 | 第21-22页 |
1.7.2 半导体气体传感器的不足 | 第22页 |
1.8 半导体气体传感器的研究方向 | 第22页 |
1.9 论文的主要研究内容 | 第22-24页 |
2 研究方法 | 第24-32页 |
2.1 引言 | 第24页 |
2.2 实验 | 第24-26页 |
2.2.1 实验仪器与试剂 | 第24-25页 |
2.2.2 SnO_2纳米线的制备方法 | 第25-26页 |
2.3 SnO_2纳米线的表征 | 第26-28页 |
2.3.1 X 射线衍射分析(XRD) | 第26-27页 |
2.3.2 透射电子显微镜分析(TEM) | 第27页 |
2.3.3 扫描电子显微镜分析(SEM) | 第27页 |
2.3.4 傅里叶变换红外光谱分析(FT-IR) | 第27页 |
2.3.5 热重分析(TGA) | 第27-28页 |
2.4 气敏元件的制备和气敏性能测试 | 第28-32页 |
2.4.1 气敏元件的特征参数 | 第28-30页 |
2.4.2 气敏元件的制备 | 第30页 |
2.4.3 气敏性能测试 | 第30-32页 |
3 SnO_2纳米线的形貌控制 | 第32-53页 |
3.1 影响因素分析 | 第32-45页 |
3.1.1 反应温度对实验结果的影响 | 第32-37页 |
3.1.2 反应时间对产物形貌的影响 | 第37-39页 |
3.1.3 表面活性剂对产物形貌的影响 | 第39-43页 |
3.1.4 搅拌速度对产物形貌的影响 | 第43-45页 |
3.2 产品表征 | 第45-49页 |
3.2.1 电镜分析 | 第45-46页 |
3.2.2 XRD 分析 | 第46-47页 |
3.2.3 FT-IR 分析 | 第47-48页 |
3.2.4 热重分析 | 第48-49页 |
3.3 机理分析 | 第49-51页 |
3.4 本章小节 | 第51-53页 |
4 SnO_2纳米线的气敏性能研究 | 第53-58页 |
4.1 工作温度对 SnO_2样品灵敏度的影响 | 第53-55页 |
4.2 气体浓度对 SnO_2纳米线灵敏度的影响 | 第55页 |
4.3 SnO_2纳米线的响应-恢复特性曲线 | 第55-57页 |
4.4 本章小节 | 第57-58页 |
5 结论与展望 | 第58-60页 |
5.1 结论 | 第58-59页 |
5.2 展望 | 第59-60页 |
参考文献 | 第60-65页 |
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第65-66页 |
致谢 | 第66页 |