一款应用于Si探测器读出的多通道低噪前置放大器ASIC芯片
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 引言 | 第8-14页 |
| 1.1 研究背景 | 第8-9页 |
| 1.2 国内外ASIC研究现状 | 第9-12页 |
| 1.2.1 国内ASIC研究现状 | 第9-10页 |
| 1.2.2 国外ASIC研究现状 | 第10-12页 |
| 1.3 本论文的主要工作 | 第12-14页 |
| 第2章 电路设计分析 | 第14-22页 |
| 2.1 前置放大器 | 第14-16页 |
| 2.1.1 电压灵敏前置放大器 | 第14-15页 |
| 2.1.2 电流灵敏前置放大器 | 第15-16页 |
| 2.2 电荷灵敏前置放大器 | 第16-19页 |
| 2.2.1 电荷灵敏前置放大器的主要特性 | 第17-18页 |
| 2.2.2 不同电荷灵敏前置放大器分析 | 第18-19页 |
| 2.3 极零相消电路 | 第19-20页 |
| 2.4 本章小结 | 第20-22页 |
| 第3章 低噪声SI探测器前端读出ASIC设计 | 第22-32页 |
| 3.1 CMOSFET集成电路工艺 | 第22-24页 |
| 3.1.1 MOSFET的分类 | 第22-23页 |
| 3.1.2 CMOS集成电路的工艺 | 第23-24页 |
| 3.2 电路设计 | 第24-26页 |
| 3.2.1 电荷灵敏前置放大器 | 第24-25页 |
| 3.2.2 核心放大器和极零相消电路 | 第25-26页 |
| 3.3 电路噪声分析 | 第26-30页 |
| 3.3.1 器件噪声 | 第27-28页 |
| 3.3.2 电荷灵敏前置放大器噪声分析 | 第28-30页 |
| 3.4 本章小结 | 第30-32页 |
| 第4章 电路仿真 | 第32-42页 |
| 4.1 电路前仿 | 第32-35页 |
| 4.2 Corner仿真 | 第35-37页 |
| 4.3 版图设计 | 第37-38页 |
| 4.4 Calibre后仿 | 第38-40页 |
| 4.5 电路测试 | 第40-41页 |
| 4.6 本章小结 | 第41-42页 |
| 第5章 总结和展望 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-48页 |
| 致谢 | 第48-50页 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第50页 |
