0.25微米CMOS工艺中多级栅极氧化层完整性的技术研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 引言 | 第6-22页 |
| 第一节 课题背景 | 第6-9页 |
| 第二节 产品可靠性 | 第9-15页 |
| 第三节 嵌入式闪存记忆体 | 第15-18页 |
| 第四节 失效分析 | 第18-20页 |
| 第五节 本论文工作介绍 | 第20-22页 |
| 第二章 栅氧化工艺的基本原理 | 第22-31页 |
| 第一节 硅氧化的原理 | 第22-24页 |
| 第二节 栅氧化工艺的加工设备和加工过程 | 第24-27页 |
| 第三节 栅氧化的特性 | 第27-30页 |
| 第四节 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 GOI测试方法及相关理论的研究 | 第31-50页 |
| 第一节 栅氧化层击穿模式 | 第31-34页 |
| 第二节 栅氧化层的击穿分类与测试结构 | 第34-38页 |
| 第三节 栅氧化层的测试方法与失效判定 | 第38-44页 |
| 第四节 栅氧化层的数据分析 | 第44-49页 |
| 第五节 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 CMOS工艺中多栅氧的GOI改进 | 第50-63页 |
| 第一节 多栅氧CMOS工艺的特点及存在的问题 | 第50-55页 |
| 第二节 实验计划与结果 | 第55-58页 |
| 第三节 数据分析与失效机理 | 第58-61页 |
| 第四节 改善措施 | 第61-62页 |
| 第五节 本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 总结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
