| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·SiC材料特点 | 第8-9页 |
| ·SiC MESFET国内外研究现状和存在的问题 | 第9-12页 |
| ·本文主要工作 | 第12-14页 |
| 第二章 4H-SiC MESFET的基本模型 | 第14-28页 |
| ·MESFET的工作原理 | 第14-16页 |
| ·MEDICI 软件 | 第16-17页 |
| ·基本原理与功能概括 | 第16页 |
| ·常用输入项 | 第16-17页 |
| ·基本模型与研究方法 | 第17-26页 |
| ·器件基本模型 | 第17-18页 |
| ·材料特性模型 | 第18-21页 |
| ·击穿机理和模型 | 第21-24页 |
| ·边界条件 | 第24-25页 |
| ·基本模拟方法 | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-28页 |
| 第三章 传统结构 4H-SiC MESFET 的直流特性仿真 | 第28-36页 |
| ·4H-SiC MESFET传统结构的直流工作特性的模拟 | 第28-31页 |
| ·器件结构 | 第28页 |
| ·直流工作特性 | 第28-30页 |
| ·高温直流工作特性 | 第30-31页 |
| ·4H-SiC MESFET传统结构的直流击穿特性的模拟 | 第31-35页 |
| ·直流击穿的基本特性 | 第31-33页 |
| ·栅极偏置的影响 | 第33-35页 |
| ·自热效应的影响 | 第35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 带隔离层和场板的4H-SiC MESFET结构特性模拟 | 第36-56页 |
| ·MESFET的结构演变 | 第36页 |
| ·4H-SiC MESFET器件主要研究的结构 | 第36-38页 |
| ·带有隔离层的4H-SiC MESFET的基本直流特性的模拟 | 第38-42页 |
| ·带有隔离层的4H-SiC MESFET的研究现状 | 第38页 |
| ·表面态对4H-SiC MESFET特性的影响 | 第38-40页 |
| ·N+源漏高掺杂区垂直位置对于器件特性的影响 | 第40-42页 |
| ·沟道参数对于器件特性的影响 | 第42-47页 |
| ·沟道厚度 | 第42-44页 |
| ·沟道浓度 | 第44-46页 |
| ·RESURF技术应用 | 第46-47页 |
| ·栅场板和其他栅结构对器件特性的影响 | 第47-54页 |
| ·埋栅深度 | 第47-49页 |
| ·栅极水平位置 | 第49-50页 |
| ·栅极形状 | 第50-52页 |
| ·栅场板结构 | 第52-53页 |
| ·栅长 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 第五章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 硕士期间参与课题 | 第64-65页 |
