| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-37页 |
| 1.1 课题背景与意义 | 第11-13页 |
| 1.2 微波GaNHEMT器件与模型的国内外研究动态 | 第13-35页 |
| 1.2.1 器件方面 | 第13-21页 |
| 1.2.2 模型及参数提取方面 | 第21-35页 |
| 1.3 本文的研究内容及结构安排 | 第35-37页 |
| 第二章 GaNHEMT小信号特性及其模型参数提取方法研究 | 第37-59页 |
| 2.1 引言 | 第37页 |
| 2.2 GaN材料和器件特性 | 第37-45页 |
| 2.2.1 GaN材料特性 | 第37-40页 |
| 2.2.2 GaNHEMT器件结构及工作原理 | 第40-45页 |
| 2.3 小信号模型参数提取研究 | 第45-58页 |
| 2.3.1 寄生参数提取 | 第46-52页 |
| 2.3.2 本征参数提取 | 第52-58页 |
| 2.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第三章 GaNHEMT经验基大信号模型参数提取研究 | 第59-86页 |
| 3.1 引言 | 第59页 |
| 3.2 GaNHEMT器件的色散特性及建模方法 | 第59-66页 |
| 3.2.1 自热效应及其建模方法 | 第59-62页 |
| 3.2.2 陷阱效应及其建模方法 | 第62-66页 |
| 3.3 漏源电流I_(ds)模型参数提取研究 | 第66-75页 |
| 3.3.1 自热和陷阱无关参数提取 | 第68-71页 |
| 3.3.2 陷阱效应相关参数提取 | 第71-72页 |
| 3.3.3 自热效应相关参数提取 | 第72-75页 |
| 3.4 非线性栅电容模型参数提取 | 第75-79页 |
| 3.4.1 栅源电容Cgs模型参数提取 | 第76-78页 |
| 3.4.2 栅漏电容Cgd模型参数提取 | 第78-79页 |
| 3.5 模型验证 | 第79-84页 |
| 3.6 本章小结 | 第84-86页 |
| 第四章 基于区域划分的GaNHEMT准物理大信号模型及参数提取研究 | 第86-116页 |
| 4.1 引言 | 第86-87页 |
| 4.2 区域划分建模原理 | 第87-92页 |
| 4.3 基于区域划分的准物理大信号模型建模 | 第92-105页 |
| 4.3.1 漏源电流I_(ds)模型基本方程推导 | 第93-97页 |
| 4.3.2 自热和高低温效应建模 | 第97-103页 |
| 4.3.3 陷阱效应建模 | 第103-105页 |
| 4.3.4 漏源电流I_(ds)缩放模型 | 第105页 |
| 4.4 区域划分模型的参数提取方法 | 第105-108页 |
| 4.5 区域划分模型的器件在片测试验证 | 第108-112页 |
| 4.6 区域划分模型在功放单片电路设计中的验证 | 第112-115页 |
| 4.7 本章小结 | 第115-116页 |
| 第五章 微波GaNHEMT全物理参数大信号统计模型及参数提取研究 | 第116-136页 |
| 5.1 引言 | 第116页 |
| 5.2 主成分分析和因子分析方法 | 第116-121页 |
| 5.2.1 主成分分析 | 第117-119页 |
| 5.2.2 因子分析 | 第119-121页 |
| 5.3 全物理参数大信号统计模型及参数提取 | 第121-131页 |
| 5.3.1 全物理参数大信号统计模型建模 | 第122-129页 |
| 5.3.2 全物理参数大信号统计模型参数提取 | 第129-131页 |
| 5.4 大信号统计模型应用验证 | 第131-135页 |
| 5.5 本章小结 | 第135-136页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第136-139页 |
| 6.1 全文总结 | 第136-138页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第138-139页 |
| 致谢 | 第139-140页 |
| 参考文献 | 第140-156页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第156-158页 |
