| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第8-11页 |
| 1.2 论文主要工作与贡献 | 第11页 |
| 1.3 论文的组织工作 | 第11-13页 |
| 第二章 射频功率放大器的原理 | 第13-32页 |
| 2.1 射频功率放大器的主要性能指标 | 第13-19页 |
| 2.1.1 输出功率 (Output Power) | 第13-14页 |
| 2.1.2 功率增益（Power Gain）及其平坦度 | 第14页 |
| 2.1.3 效率（Efficency） | 第14-15页 |
| 2.1.4 功率利用因子（Power Utilization Factor，PUF） | 第15页 |
| 2.1.5 线性度 | 第15-18页 |
| 2.1.6 稳定性 | 第18页 |
| 2.1.7 交调分量 | 第18-19页 |
| 2.2 射频功率放大器的分类 | 第19-26页 |
| 2.2.1 线性功率放大器 | 第19-23页 |
| 2.2.2 非线性功率放大器 | 第23-26页 |
| 2.3 射频功率放大器的线性化技术和效率提升技术 | 第26-29页 |
| 2.4 射频功率放大器的其他设计考虑 | 第29-32页 |
| 2.4.1 匹配网络的设计 | 第29-30页 |
| 2.4.2 Knee 电压 | 第30-32页 |
| 第三章 SiGe BiCMOS 工艺线性功率放大器设计 | 第32-41页 |
| 3.1 电路图 | 第32-33页 |
| 3.2 功率管设计 | 第33-34页 |
| 3.3 阻抗匹配 | 第34-36页 |
| 3.4 稳定性 | 第36页 |
| 3.5 其他设计考虑 | 第36-41页 |
| 第四章 CMOS 工艺非线性功率放大器设计 | 第41-48页 |
| 4.1 CMOS 工艺限制 | 第41-42页 |
| 4.2 原理及电路结构 | 第42-46页 |
| 4.3 Doherty 功率放大器 | 第46-48页 |
| 第五章 版图实现与测试 | 第48-59页 |
| 5.1 功率放大器版图设计与实现 | 第48-49页 |
| 5.2 SiGe BiCMOS 工艺线性功率放大器版图及仿真测试结果 | 第49-55页 |
| 5.2.1 SiGe BiCMOS 工艺线性功率放大器版图 | 第49-50页 |
| 5.2.2 SiGe BiCMOS 工艺线性功率放大器后仿真 | 第50-52页 |
| 5.2.3 SiGe BiCMOS 工艺线性功率放大器测试 | 第52-55页 |
| 5.3 CMOS 工艺非线性功率放大器版图及后仿真结果 | 第55-59页 |
| 5.3.1 CMOS 工艺非线性功率放大器版图 | 第55页 |
| 5.3.2 CMOS 工艺非线性功率放大器后仿真 | 第55-59页 |
| 第六章 总结和展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
