| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 能源危机及光伏发展状况 | 第9-10页 |
| 1.2 太阳电池的结构与原理 | 第10-11页 |
| 1.3 多晶 Si 薄膜太阳电池的研究现状、结构及制备方法 | 第11-19页 |
| 1.3.1 研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3.2 多晶 Si 薄膜太阳电池的结构 | 第12页 |
| 1.3.3 多晶 Si 薄膜太阳电池材料的制备方法 | 第12-19页 |
| 1.4 论文选题的背景、研究内容及创新点 | 第19-21页 |
| 1.4.1 论文选题背景 | 第19-20页 |
| 1.4.2 论文研究内容 | 第20页 |
| 1.4.3 论文的创新点 | 第20-21页 |
| 第2章 薄膜的制备及表征手段 | 第21-36页 |
| 2.1 真空蒸发镀膜 | 第21-25页 |
| 2.1.1 真空蒸发原理 | 第21-22页 |
| 2.1.2 电子束加热原理与蒸发源 | 第22-25页 |
| 2.3 退火处理技术 | 第25-26页 |
| 2.3.1 乙炔氧焰的调节 | 第25页 |
| 2.3.2 石英玻璃管的真空密封 | 第25页 |
| 2.3.3 退火技术 | 第25-26页 |
| 2.4 实验设备 | 第26-27页 |
| 2.5 薄膜结构性能表征手段 | 第27-35页 |
| 2.5.1 Raman 散射光谱仪 | 第27-29页 |
| 2.5.2 XRD 衍射光谱 | 第29-30页 |
| 2.5.3 全自动数字式显微镜 | 第30-31页 |
| 2.5.4 场发射扫描电镜(SEM) | 第31-32页 |
| 2.5.5 差热分析扫描(DSC) | 第32-35页 |
| 2.6 本章小结 | 第35-36页 |
| 第3章 单晶 Si 衬底上 Ge 填埋层低温应力诱导制备多晶 Si 薄膜 | 第36-46页 |
| 3.1 引言 | 第36页 |
| 3.2 Si 衬底上含有 Ge 填埋层的 Si/Ge 薄膜的制备 | 第36-38页 |
| 3.2.1 实验器材 | 第36页 |
| 3.2.2 蒸镀条件及参数 | 第36页 |
| 3.2.3 实验步骤 | 第36-38页 |
| 3.3 不同退火温度的 Si/Si(衬底)薄膜样品的 Raman 散射光谱分析 | 第38-39页 |
| 3.4 Si/Ge 薄膜样品的性能表征 | 第39-45页 |
| 3.4.1 不同退火温度的 Si/Ge 薄膜样品的 Raman 散射光谱分析 | 第39-40页 |
| 3.4.2 不同退火温度的 Si/Ge 薄膜样品的 XRD 衍射光谱分析 | 第40-41页 |
| 3.4.3 全自动数字式显微镜 | 第41-43页 |
| 3.4.4 Si/Ge 薄膜样品的断面场扫描研究（SEM） | 第43-44页 |
| 3.4.5 夹心结构（Si/Ge/Si/Si_(衬底)）Raman 散射光谱分析 | 第44-45页 |
| 3.5 小结 | 第45-46页 |
| 第4章 多晶 Si 薄膜晶化机理研究 | 第46-50页 |
| 4.1 引言 | 第46页 |
| 4.2 衬底温度 300℃的 a-Si/Ge/Si 衬底薄膜的 Raman 特性研究 | 第46-47页 |
| 4.3 薄膜样品的差热扫描分析（DSC） | 第47-48页 |
| 4.4 晶化机理模型分析 | 第48-49页 |
| 4.4.1 薄膜晶化过程 | 第48-49页 |
| 4.5 小结 | 第49-50页 |
| 第5章 结论与展望 | 第50-53页 |
| 5.1 结论 | 第50-51页 |
| 5.2 论文工作的主要创新点 | 第51页 |
| 5.3 未来工作的展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-58页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
