| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 Zener隧穿的研究意义 | 第10-12页 |
| 1.2 国内外研究现状及存在的问题 | 第12-16页 |
| 1.3 论文内容安排 | 第16-17页 |
| 第二章 二维直接带隙半导体中的Zener隧穿 | 第17-30页 |
| 2.1 WKB方法与Kane方法 | 第17-19页 |
| 2.2 方法与模型 | 第19-22页 |
| 2.3 数值计算与结果讨论 | 第22-29页 |
| 2.4 小结 | 第29-30页 |
| 第三章 间接带隙半导体中的声子辅助Zener隧穿 | 第30-40页 |
| 3.1 理论与模型 | 第30-35页 |
| 3.2 数值计算与结果讨论 | 第35-39页 |
| 3.3 小结 | 第39-40页 |
| 第四章 缺陷态对声子辅助Zener隧穿的影响 | 第40-49页 |
| 4.1 理论与模型 | 第40-41页 |
| 4.2 数值计算与结果讨论 | 第41-48页 |
| 4.3 小结 | 第48-49页 |
| 第五章 全文总结 | 第49-51页 |
| 附录: 间接Zener隧穿中转移矩阵方法的应用 | 第51-54页 |
| 参考文献 | 第54-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 攻读博士学位期间完成的学术论文 | 第64页 |