| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-24页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 VO_2相变特性 | 第12-15页 |
| 1.2.1 晶体结构转变 | 第12-13页 |
| 1.2.2 能带结构变化 | 第13-14页 |
| 1.2.3 电学性质突变 | 第14-15页 |
| 1.2.4 光学性质突变 | 第15页 |
| 1.3 VO_2材料的应用 | 第15-19页 |
| 1.4 VO_2研究现状 | 第19-22页 |
| 1.4.1 MIT相变微观机理研究现状 | 第19-20页 |
| 1.4.2 VO_2相变温度调控方式 | 第20-22页 |
| 1.5 本课题的选题思路及主要研究内容 | 第22-24页 |
| 第2章 薄膜制备工艺及表征测试方法 | 第24-38页 |
| 2.1 薄膜生长技术简介 | 第24-26页 |
| 2.1.1 溶胶-凝胶法（Sol-gel） | 第24-25页 |
| 2.1.2 磁控溅射法（MS） | 第25页 |
| 2.1.3 化学气相沉积法（CVD） | 第25-26页 |
| 2.1.4 分子束外延法（MBE） | 第26页 |
| 2.1.5 脉冲激光沉积法（PLD） | 第26页 |
| 2.2 脉冲激光沉积（PLD）技术 | 第26-31页 |
| 2.2.1 PLD法概述 | 第26-27页 |
| 2.2.2 PLD原理 | 第27-28页 |
| 2.2.3 PLD的特点 | 第28-29页 |
| 2.2.4 实验室所用PLD设备介绍 | 第29-31页 |
| 2.3 VO_2薄膜PLD法制备工艺 | 第31-33页 |
| 2.4 VO_2薄膜的表征测试方法 | 第33-38页 |
| 2.4.1 X射线衍射（XRD） | 第33-34页 |
| 2.4.2 原子力显微镜（AFM） | 第34-35页 |
| 2.4.3 X射线光电子能谱（XPS） | 第35-36页 |
| 2.4.4 四探针法 | 第36-38页 |
| 第3章 沉积氧压对c-Al_2O_3上VO_2薄膜生长特征及MIT特性影响 | 第38-49页 |
| 3.1 样品的制备 | 第38-39页 |
| 3.2 实验结果与讨论 | 第39-47页 |
| 3.2.1 沉积氧压对薄膜结构的影响 | 第39-42页 |
| 3.2.2 沉积氧压对薄膜表面形貌的影响 | 第42-44页 |
| 3.2.3 沉积氧压对VO_2薄膜成分的影响 | 第44-46页 |
| 3.2.4 不同沉积氧压下制备的薄膜MIT特性研究 | 第46-47页 |
| 3.3 本章小结 | 第47-49页 |
| 第4章c-Al_2O_3上不同厚度VO_2薄膜生长行为与MIT特性研究 | 第49-60页 |
| 4.1 样品的制备 | 第49-50页 |
| 4.2 实验结果与讨论 | 第50-59页 |
| 4.2.1 不同厚度VO_2薄膜结构表征 | 第50-54页 |
| 4.2.2 不同厚度VO_2薄膜表面形貌研究 | 第54-56页 |
| 4.2.3 薄膜厚度对VO_2薄膜成分的影响 | 第56-57页 |
| 4.2.4 薄膜厚度对VO_2薄膜MIT特性的影响 | 第57-59页 |
| 4.3 本章小结 | 第59-60页 |
| 第5章 TiO_2 (110)上不同厚度VO_2薄膜生长行为与MIT特性研究 | 第60-74页 |
| 5.1 样品的制备 | 第60-61页 |
| 5.2 实验结果与讨论 | 第61-72页 |
| 5.2.1 不同厚度VO_2薄膜结构表征 | 第61-64页 |
| 5.2.2 不同厚度VO_2薄膜表面形貌研究 | 第64-66页 |
| 5.2.3 薄膜厚度对VO_2薄膜晶格常数的影响 | 第66-68页 |
| 5.2.4 VO_2薄膜晶体结构转变研究 | 第68-70页 |
| 5.2.5 薄膜厚度对VO_2薄膜MIT特性的影响 | 第70-72页 |
| 5.3 本章小结 | 第72-74页 |
| 全文总结 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-82页 |
| 附录 | 第82-83页 |
| 致谢 | 第83页 |
