| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 UV-LED的研究与应用 | 第10-12页 |
| 1.2 Ⅲ族氮化物材料概述 | 第12-15页 |
| 1.2.1 Ⅲ族氮化物材料的特性 | 第12-13页 |
| 1.2.2 Ⅲ族氮化物的压电极化和自发极化 | 第13-15页 |
| 1.3 半极性Ⅲ族氮化物材料的研究现状 | 第15-16页 |
| 1.4 本论文的研究内容及创新点 | 第16-18页 |
| 第二章 MOCVD外延生长技术与材料表征方法 | 第18-34页 |
| 2.1 MOCVD外延生长技术 | 第18-23页 |
| 2.1.1 MOCVD系统简介 | 第18-20页 |
| 2.1.2 MOCVD的表面过程 | 第20-21页 |
| 2.1.3 外延生长的工艺流程 | 第21-23页 |
| 2.2 材料表征方法 | 第23-33页 |
| 2.2.1 紫外-可见分光光度计 | 第23-24页 |
| 2.2.2 光学显微镜 | 第24-26页 |
| 2.2.3 光致发光光谱 | 第26-27页 |
| 2.2.4 高分辨率X射线衍射仪 | 第27-29页 |
| 2.2.5 霍尔效应测试仪 | 第29-31页 |
| 2.2.6 场发射扫描电子显微镜 | 第31-32页 |
| 2.2.7 原子力显微镜 | 第32-33页 |
| 2.3 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 半极性AlGaN薄膜的生长及表征 | 第34-54页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 M面蓝宝石衬底上AlGaN材料的生长条件优化 | 第34-41页 |
| 3.2.1 外延层结构与生长工艺 | 第34-35页 |
| 3.2.2 成核层生长温度对外延层晶体质量和表面形貌的影响 | 第35-37页 |
| 3.2.3 成核层生长时间对外延层表面形貌的影响 | 第37-39页 |
| 3.2.4 缓冲层厚度对外延层表面形貌的影响 | 第39-41页 |
| 3.3 NH_3脉冲生长法 | 第41-44页 |
| 3.4 应力弛豫插入层 | 第44-49页 |
| 3.5 In作表面活性剂 | 第49-53页 |
| 3.6 本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 半极性AlGaN材料n型掺杂的研究 | 第54-62页 |
| 4.1 引言 | 第54页 |
| 4.2 材料生长实验 | 第54-55页 |
| 4.3 表征结果分析 | 第55-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-62页 |
| 第五章 半极性AlGaN多量子阱的生长研究 | 第62-68页 |
| 5.1 引言 | 第62-63页 |
| 5.2 材料生长实验 | 第63-65页 |
| 5.3 表征结果分析 | 第65-67页 |
| 5.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 第六章 总结与展望 | 第68-70页 |
| 6.1 全文工作总结 | 第68-69页 |
| 6.2 未来工作展望 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-80页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第80页 |