| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-30页 |
| 1.1 光互连产生 | 第16-17页 |
| 1.2 片上光互连现状 | 第17-27页 |
| 1.2.1 Si基光互连发展 | 第18-21页 |
| 1.2.2 改性Ge光互连发展 | 第21-27页 |
| 1.3 本文主要研究工作 | 第27-30页 |
| 第二章 改性Ge材料能带E-k关系研究 | 第30-48页 |
| 2.1 应变张量模型 | 第30-35页 |
| 2.2 形变势理论 | 第35-37页 |
| 2.3 改性Ge能带E-k关系模型 | 第37-47页 |
| 2.3.1 应变改性Ge导带E-k关系 | 第37-40页 |
| 2.3.2 应变改性Ge价带E-k关系 | 第40-46页 |
| 2.3.3 直接带隙Ge_(1-x)Sn_x合金8带kp模型 | 第46-47页 |
| 2.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第三章 改性Ge能带与调制研究 | 第48-78页 |
| 3.1 Ge改性致带隙类型转化规律 | 第48-54页 |
| 3.1.1 应力致Ge带隙类型转化 | 第48-52页 |
| 3.1.2 Sn合金化致Ge带隙类型转化 | 第52-53页 |
| 3.1.3 应力与合金化共作用 | 第53-54页 |
| 3.2 （准）直接带隙改性Ge能带结构 | 第54-66页 |
| 3.2.1 准直接带隙改性Ge能带结构 | 第54-61页 |
| 3.2.2 弛豫GeSn合金能带结构（Sn组分>0.08） | 第61-66页 |
| 3.3 互连带隙调制研究 | 第66-76页 |
| 3.3.1 准直接带隙改性Ge禁带宽度调制 | 第66-71页 |
| 3.3.2 直接带隙Ge_(1-x)Sn_x合金禁带宽度调制 | 第71-76页 |
| 3.4 本章小结 | 第76-78页 |
| 第四章 改性Ge矩形波导与过渡波导研究 | 第78-98页 |
| 4.1 波导理论与参数分析 | 第78-86页 |
| 4.1.1 电磁场基本理论 | 第78-79页 |
| 4.1.2 矩形波导理论 | 第79-84页 |
| 4.1.3 改性Ge参数分析 | 第84-86页 |
| 4.2 矩形波导仿真 | 第86-91页 |
| 4.2.1 软件介绍 | 第86-87页 |
| 4.2.2 波导仿真 | 第87-91页 |
| 4.3 波导与器件互连 | 第91-97页 |
| 4.3.1 SiO_2隔离层仿真分析与优化 | 第92-94页 |
| 4.3.2 锥形过渡波导仿真分析与优化 | 第94-97页 |
| 4.4 本章小结 | 第97-98页 |
| 第五章 总结与展望 | 第98-100页 |
| 参考文献 | 第100-104页 |
| 致谢 | 第104-105页 |
| 作者简介 | 第105-107页 |
