| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 自旋玻璃系统 | 第10-12页 |
| 1.2 自旋玻璃系统的基本特征 | 第12-13页 |
| 1.3 NAMD自旋玻璃材料研究进展 | 第13-15页 |
| 1.4 自旋玻璃Pr_2CuSi_3概述 | 第15-17页 |
| 1.5 本文的主要研究内容、目的和意义 | 第17-19页 |
| 第2章 实验原理与实验方法 | 第19-32页 |
| 2.1 引言 | 第19页 |
| 2.2 相关物理概念 | 第19-26页 |
| 2.2.1 霍尔效应 | 第19-20页 |
| 2.2.2 交流磁化率 | 第20页 |
| 2.2.3 RKKY互作用 | 第20页 |
| 2.2.4 自旋玻璃系统的基本现象及特点 | 第20-26页 |
| 2.3 实验的测试方法与原理 | 第26-29页 |
| 2.3.1 范德堡尔法 | 第26-28页 |
| 2.3.2 四引线法 | 第28-29页 |
| 2.4 实验分析技术与设备 | 第29-32页 |
| 2.4.1 X射线衍射 | 第29-31页 |
| 2.4.2 电输运测试系统 | 第31-32页 |
| 第3章 Pr_2CuSi_3制备过程和输运特性研究 | 第32-48页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| 3.2 Pr_2CuSi_3多晶化合物的制备与表征手段 | 第32-33页 |
| 3.2.1 样品的制备 | 第32页 |
| 3.2.2 样品的表征手段 | 第32-33页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第33-47页 |
| 3.3.1 X射线衍射分析 | 第33页 |
| 3.3.2 霍尔效应分析 | 第33-38页 |
| 3.3.3 电阻率分析 | 第38-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第4章 最佳压缩变形Pr_2CuSi_3样品制备过程和输运特性的研究 | 第48-66页 |
| 4.1 引言 | 第48页 |
| 4.2 压缩变形Pr_2CuSi_3样品的制备与表征手段 | 第48-49页 |
| 4.2.1 样品制备 | 第48页 |
| 4.2.2 样品的表征手段 | 第48-49页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第49-64页 |
| 4.3.1 压缩变形0.72kN Pr_2CuSi_3样品分析 | 第49-57页 |
| 4.3.1.1 X射线衍射结果分析 | 第49-50页 |
| 4.3.1.2 金相照片的分析 | 第50-51页 |
| 4.3.1.3 霍尔效应分析 | 第51-54页 |
| 4.3.1.4 电阻率分析 | 第54-57页 |
| 4.3.2 压缩变形0.72kN退火240小时Pr_2CuSi_3样品分析 | 第57-64页 |
| 4.3.2.1 霍尔效应分析 | 第57-61页 |
| 4.3.2.2 电阻率分析 | 第61-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-66页 |
| 第5章 结论 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
