0.18μm光刻制程中显影工艺的优化
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第12-19页 |
| 1.1 集成电路制造技术的发展变迁 | 第12-16页 |
| 1.1.1 光刻技术的发展历程 | 第12-13页 |
| 1.1.2 显影工艺的发展现状 | 第13-16页 |
| 1.2 显影工艺的技术关键及其对光刻的影响 | 第16-18页 |
| 1.2.1 显影液的化学组分及其作用 | 第16-17页 |
| 1.2.2 显影的微观过程 | 第17-18页 |
| 1.2.3 显影的技术关键及对光刻的影响 | 第18页 |
| 1.3 本文研究的主要内容和方向 | 第18-19页 |
| 第二章 0.18微米显影工艺中CD的优化 | 第19-30页 |
| 2.1 CD的测量与评价标准 | 第19-21页 |
| 2.2 显影工艺中影响CD的因素 | 第21-22页 |
| 2.3 0.18μm显影工艺中CD的优化 | 第22-29页 |
| 2.3.1 显影工作腔exhaust的优化 | 第22-24页 |
| 2.3.2 LD喷嘴的最佳流量值 | 第24-26页 |
| 2.3.3 显影前烘烤温度的优化 | 第26-27页 |
| 2.3.4 显影后烘烤温度的优化 | 第27-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 0.18微米显影工艺中缺陷的控制 | 第30-42页 |
| 3.1 显影过程中缺陷的种类与来源 | 第30-35页 |
| 3.1.1 表面粒子污染 | 第30-31页 |
| 3.1.2 光刻胶残留 | 第31-32页 |
| 3.1.3 反应物残留 | 第32-33页 |
| 3.1.4 缺陷的检查方法 | 第33-35页 |
| 3.2 缺陷的降低与成品率的提高 | 第35-40页 |
| 3.2.1 机台清洁度的控制 | 第35-36页 |
| 3.2.2 显影液与去离子水流量的控制 | 第36-38页 |
| 3.2.3 新型缺陷的研究与控制 | 第38-40页 |
| 3.3 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 显影程式的优化 | 第42-53页 |
| 4.1 显影程式 | 第42-43页 |
| 4.1.1 制造程式的定义与作用 | 第42页 |
| 4.1.2 显影程式及其优化意义 | 第42-43页 |
| 4.2 显影液涂布程式的优化 | 第43-47页 |
| 4.2.1 E2喷嘴的显影液涂布程式 | 第43-44页 |
| 4.2.2 LD喷嘴的显影液传统涂布程式 | 第44-45页 |
| 4.2.3 LD喷嘴扫描程式的优化 | 第45-47页 |
| 4.3 去离子水喷洒程式的优化 | 第47-49页 |
| 4.3.1 去离子水的传统喷洒程式 | 第47-48页 |
| 4.3.2 去离子水喷洒程式的优化 | 第48-49页 |
| 4.4 PEB程式的优化 | 第49-52页 |
| 4.4.1 冷板冷却时间的优化 | 第49-50页 |
| 4.4.2 热板烘烤时间的优化 | 第50-52页 |
| 4.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 结束语 | 第53-56页 |
| 5.1 主要工作与创新点 | 第53-54页 |
| 5.2 后续研究工作 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第61页 |
