| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第10-12页 |
| 1.2 ESD 防护的国内外研究现状及发展趋势 | 第12-19页 |
| 1.2.1 片外 ESD 防护 | 第13-15页 |
| 1.2.2 片上低压 ESD 防护 | 第15-17页 |
| 1.2.3 片上高压 ESD 防护 | 第17-19页 |
| 1.3 高压 IC ESD 防护面临的困难及挑战 | 第19-20页 |
| 1.4 论文的研究目标、技术路线及组织架构 | 第20-23页 |
| 第二章 ESD 防护单元的设计规则、测试及仿真方法 | 第23-38页 |
| 2.1 ESD 防护单元的设计规则及主要性能参数 | 第23-24页 |
| 2.2 ESD 防护单元的测试方法及分类 | 第24-30页 |
| 2.2.1 HBM 及其 ESD 防护等级分类 | 第26-28页 |
| 2.2.2 MM 及其 ESD 防护等级分类 | 第28-29页 |
| 2.2.3 CDM 及其 ESD 防护等级分类 | 第29-30页 |
| 2.3 TLP 测试技术 | 第30-32页 |
| 2.4 ESD 防护器件的 TCAD 仿真方法 | 第32-36页 |
| 2.4.1 ESD 防护器件的 SENTAURUS 仿真流程 | 第33-34页 |
| 2.4.2 ESD 防护的电学仿真物理模型与数学解析方法 | 第34-36页 |
| 2.5 本章小结 | 第36-38页 |
| 第三章 ESD 基本单元防护特性研究 | 第38-63页 |
| 3.1 传统 ESD 防护器件特性研究 | 第38-46页 |
| 3.1.1 二极管 | 第38-40页 |
| 3.1.2 BJT | 第40-45页 |
| 3.1.3 MOS 管 | 第45-46页 |
| 3.2 SCR 器件 ESD 防护特性研究 | 第46-53页 |
| 3.2.1 传统型 SCR 的防护原理及其特性 | 第47-49页 |
| 3.2.2 改进型 SCR 的防护原理及其特性 | 第49-52页 |
| 3.2.3 双向型 SCR 的防护原理及其特性 | 第52-53页 |
| 3.3 LDMOS 器件 ESD 防护特性研究 | 第53-62页 |
| 3.3.1 LDMOS 的 ESD 防护原理及其特性 | 第54-55页 |
| 3.3.2 LDMOS-SCR 的 ESD 防护原理及其特性 | 第55-56页 |
| 3.3.3 LDMOS 触发电压退化效应的研究 | 第56-62页 |
| 3.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 第四章 高维持电压抗闩锁的高压 ESD 防护设计与分析 | 第63-90页 |
| 4.1 小回滞 SCR 结构的高压 ESD 防护设计 | 第63-80页 |
| 4.1.1 齐纳二极管触发 SCR 的高压 ESD 防护设计 | 第63-68页 |
| 4.1.2 PMOS 内嵌型浮栅 DDSCR 的高压 ESD 防护设计 | 第68-73页 |
| 4.1.3 互补串联 DDSCR 的高压 ESD 防护设计 | 第73-80页 |
| 4.2 LDMOS-SCR 的高压 ESD 防护设计 | 第80-89页 |
| 4.2.1 齐纳二极管触发 LDMOS-SCR 的高压 ESD 防护设计 | 第80-81页 |
| 4.2.2 环形电阻管触发 LDMOS-SCR 的高压 ESD 防护设计 | 第81-84页 |
| 4.2.3 高阻 LDMOS-SCR 的高压 ESD 防护设计 | 第84-86页 |
| 4.2.4 纵向 NPN 触发 LDMOS-SCR 的高压 ESD 防护设计 | 第86-88页 |
| 4.2.5 衬底触发 LDMOS-SCR 的双向高压 ESD 防护设计 | 第88页 |
| 4.2.6 多路径导通 LDMOS-SCR 的双向高压 ESD 防护设计 | 第88-89页 |
| 4.3 本章小结 | 第89-90页 |
| 第五章 高维持电流抗闩锁的高压 ESD 防护设计与分析 | 第90-103页 |
| 5.1 基于 DMOS 结构的高维持电流 ESD 防护器件设计 | 第90-96页 |
| 5.1.1 RC 内嵌型 LDMOS-SCR 的高维持电流 ESD 防护设计 | 第90-94页 |
| 5.1.2 环形 VDMOS 结构的高维持电流 ESD 防护设计 | 第94-96页 |
| 5.2 基于 LDMOS 结构的版图优化方法 | 第96-102页 |
| 5.2.1 LDMOS-SCR 的漏端版图优化及其 ESD 特性 | 第96-99页 |
| 5.2.2 LDMOS-SCR 的条形与环形版图优化及其 ESD 特性 | 第99-102页 |
| 5.3 本章小结 | 第102-103页 |
| 第六章 总结与展望 | 第103-107页 |
| 6.1 总结 | 第103-105页 |
| 6.2 展望 | 第105-107页 |
| 致谢 | 第107-109页 |
| 参考文献 | 第109-117页 |
| 附录：作者在攻读博士学位期间发表的论文和申请的专利 | 第117-118页 |
