| 摘要 | 第9-10页 |
| ABSTRACT | 第10页 |
| 第一章 绪论 | 第11-28页 |
| 1.1 信息存储技术概论 | 第11-15页 |
| 1.1.1 磁存储 | 第11-12页 |
| 1.1.2 铁电存储 | 第12-13页 |
| 1.1.3 光存储 | 第13-14页 |
| 1.1.4 目前主要存储技术性能对比 | 第14-15页 |
| 1.2 电光效应与电光晶体 | 第15-23页 |
| 1.2.1 电光效应 | 第15-17页 |
| 1.2.2 线性电光系数矩阵和二次电光系数矩阵 | 第17-21页 |
| 1.2.3 电光晶体 | 第21-23页 |
| 1.3 铁酸铋 | 第23-26页 |
| 1.4 本文的研究背景和意义 | 第26页 |
| 1.5 论文主要工作及结构安排 | 第26-28页 |
| 第二章 BiFeO_3/金属薄膜异质结的电光效应仿真 | 第28-45页 |
| 2.1 引言 | 第28-31页 |
| 2.2 BiFeO_3/Au异质结构研究 | 第31-41页 |
| 2.2.1 铁酸铋薄膜厚度对膜系结构反射谱的影响 | 第32-35页 |
| 2.2.2 入射角度对反射谱的影响 | 第35-37页 |
| 2.2.3 铁酸铋薄膜折射率对膜系结构反射谱的影响 | 第37-41页 |
| 2.2.4 小结 | 第41页 |
| 2.3 BiFeO_3/Pt异质结构研究 | 第41-44页 |
| 2.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第三章 基于BiFeO_3/Au异质结构的信息存储器件设计 | 第45-53页 |
| 3.1 设计思路 | 第45-46页 |
| 3.2 信息存储器件原理简介 | 第46-48页 |
| 3.3 信息存储器件结构组成 | 第48-49页 |
| 3.4 信息存储器件的优点 | 第49-50页 |
| 3.5 利用ITO电极实现信息的写入 | 第50-52页 |
| 3.6 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 铁酸铋薄膜电光效应的实验研究 | 第53-73页 |
| 4.1 引言 | 第53页 |
| 4.2 样品的制备与测量 | 第53-60页 |
| 4.2.1 激光脉冲沉积镀膜 | 第53-57页 |
| 4.2.2 叉指Au电极制备 | 第57-59页 |
| 4.2.3 利用椭圆偏振仪测量薄膜及异质结的光学性质 | 第59-60页 |
| 4.3 BiFeO_3/LaAlO_3异质结构研究 | 第60-67页 |
| 4.4 Au/BiFeO_3/LaAlO_3异质结构研究 | 第67-71页 |
| 4.5 本章小结 | 第71-73页 |
| 第五章 总结与展望 | 第73-74页 |
| 5.1 总结 | 第73页 |
| 5.2 展望 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第79页 |
