| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第14-30页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第14-16页 |
| 1.1.1 大气压低温等离子体简介 | 第14-15页 |
| 1.1.2 绝缘材料表面改性的研究意义 | 第15-16页 |
| 1.2 绝缘材料表面改性研究进展 | 第16-28页 |
| 1.2.1 聚合物材料表面改性研究 | 第16-20页 |
| 1.2.2 等离子体增强化学气相沉积技术 | 第20-22页 |
| 1.2.3 聚合物材料表面电荷动态特性研究 | 第22-25页 |
| 1.2.4 中国科学院电工研究所研究进展 | 第25-28页 |
| 1.3 本文主要工作内容 | 第28-30页 |
| 2 实验装置与测量系统 | 第30-38页 |
| 2.1 沉积处理实验系统 | 第30-32页 |
| 2.1.1 微秒脉冲功率电源 | 第30-31页 |
| 2.1.2 沉积处理实验系统搭建 | 第31-32页 |
| 2.2 实验材料准备 | 第32-33页 |
| 2.3 材料改性测试系统 | 第33-37页 |
| 2.3.1 物理化学特性测量 | 第33-35页 |
| 2.3.2 电学特性测量 | 第35-37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 3 DBD沉积类SiO_2薄膜及其特性表征 | 第38-58页 |
| 3.1 沉积处理实验装置及参数 | 第38-43页 |
| 3.1.1 沉积处理实验装置 | 第38-40页 |
| 3.1.2 沉积处理实验参数 | 第40-43页 |
| 3.2 物理化学特性测试 | 第43-53页 |
| 3.2.1 FTIR及XPS测试 | 第43-47页 |
| 3.2.2 水接触角测量 | 第47-49页 |
| 3.2.3 薄膜厚度及折射率测量 | 第49-50页 |
| 3.2.4 AFM及SEM测试 | 第50-53页 |
| 3.3 电学特性测试 | 第53-56页 |
| 3.3.1 电导率测量 | 第54-55页 |
| 3.3.2 相对介电常数测量 | 第55页 |
| 3.3.3 沿面闪络电压测量 | 第55-56页 |
| 3.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 4 射流及滑动放电沉积类SiO_2薄膜研究 | 第58-80页 |
| 4.1 射流沉积处理实验及其特性表征 | 第58-69页 |
| 4.1.1 HMDSO射流沉积处理实验 | 第59-63页 |
| 4.1.2 TEOS射流沉积处理实验 | 第63-69页 |
| 4.2 滑动放电沉积处理实验及其特性表征 | 第69-79页 |
| 4.2.1 滑动放电沉积处理实验装置 | 第69-71页 |
| 4.2.2 物理化学特性测试 | 第71-75页 |
| 4.2.3 电学特性测试 | 第75-79页 |
| 4.3 本章小结 | 第79-80页 |
| 5 直流及脉冲电晕放电下表面电位测试 | 第80-103页 |
| 5.1 表面电位测量系统 | 第80-83页 |
| 5.1.1 表面电位测量装置 | 第80-82页 |
| 5.1.2 静电场仿真 | 第82-83页 |
| 5.1.3 电荷陷阱计算方法 | 第83页 |
| 5.2 直流电晕放电下表面电位测试 | 第83-92页 |
| 5.2.1 DBD沉积处理后表面电位测试 | 第84-88页 |
| 5.2.2 射流沉积处理后表面电位测试 | 第88-89页 |
| 5.2.3 滑动放电沉积处理后表面电位测试 | 第89-92页 |
| 5.3 脉冲电晕放电下表面电位测试 | 第92-100页 |
| 5.3.1 直流与脉冲电晕放电下表面电位对比 | 第93-94页 |
| 5.3.2 脉冲电晕放电参数对表面电位的影响 | 第94-98页 |
| 5.3.3 沉积处理对脉冲电晕下表面电位的影响 | 第98-100页 |
| 5.4 沉积类SiO_2薄膜对表面电荷消散的影响分析 | 第100-101页 |
| 5.5 本章小结 | 第101-103页 |
| 6 结论与展望 | 第103-105页 |
| 6.1 主要工作总结 | 第103-104页 |
| 6.2 未来工作展望 | 第104-105页 |
| 参考文献 | 第105-115页 |
| 致谢 | 第115-116页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文及研究成果 | 第116-117页 |