| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 MOS晶体管的发展 | 第9-12页 |
| 1.2 CSG MOSFET | 第12-13页 |
| 1.3 SC(Stepped doping Channel)CSG MOSFET | 第13-15页 |
| 1.4 论文的主要内容和安排 | 第15-16页 |
| 第二章 SC CSG MOSFET的短沟道特性分析 | 第16-33页 |
| 2.1 基本特性 | 第16-28页 |
| 2.1.1 电势 | 第16-19页 |
| 2.1.2 电场 | 第19-21页 |
| 2.1.3 载流子的速度v_n | 第21-23页 |
| 2.1.4 载流子的迁移率μ_n | 第23-25页 |
| 2.1.5 Ⅰ_d-Ⅴ_(ds) | 第25-27页 |
| 2.1.6 Ⅰ_d-Ⅴ_(gs) | 第27-28页 |
| 2.2 SCE分析 | 第28-30页 |
| 2.2.1 栅长 | 第28-30页 |
| 2.3 仿真工具介绍 | 第30-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 SC CSG MOSFET的建模 | 第33-44页 |
| 3.1 SC CSG MOSFET的体电势模型 | 第33-41页 |
| 3.1.1 一维电势求解 | 第36-39页 |
| 3.1.2 二维电势求解 | 第39-41页 |
| 3.2 阈值电压V_t | 第41-42页 |
| 3.2.1 亚阈值摆幅SS模型 | 第42页 |
| 3.2.2 漏感应势垒降低效应DIBL模型 | 第42页 |
| 3.3 本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 CS CSG MOSFET的模型分析 | 第44-55页 |
| 4.1 基本特性 | 第44-47页 |
| 4.1.1 电势 | 第44-46页 |
| 4.1.2 电场 | 第46-47页 |
| 4.2 SCE分析 | 第47-53页 |
| 4.2.1 阈值电压V_t | 第47-49页 |
| 4.2.2 亚阂值摆幅SS | 第49-50页 |
| 4.2.3 漏感应势垒降低效应DIBL | 第50-52页 |
| 4.2.4 参数优化设计 | 第52-53页 |
| 4.3 本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 结论 | 第55-57页 |
| 5.1 总结 | 第55-56页 |
| 5.2 展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第65页 |