| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-36页 |
| ·几种新型不挥发存储器 | 第11-18页 |
| ·闪存（Flash Memory） | 第11-12页 |
| ·铁电存储器（FeRAM） | 第12-14页 |
| ·磁性存储器（MRAM） | 第14-15页 |
| ·阻变存储器（RRAM） | 第15-16页 |
| ·相变存储器（PRAM） | 第16-18页 |
| ·几种新型不挥发存储器的性能比较 | 第18-20页 |
| ·相变存储器的存储介质 | 第20-23页 |
| ·相存储介质的性能要求 | 第20页 |
| ·相变存储材料研究 | 第20-23页 |
| ·相变存储器的研究进展 | 第23-24页 |
| ·相变存储研究面临的主要问题 | 第24-27页 |
| ·RESET 电流过高 | 第25-27页 |
| ·高温下数据保存寿命不够理想 | 第27页 |
| ·本论文的研究意义及研究内容 | 第27-29页 |
| 参考文献 | 第29-36页 |
| 第二章 SiN_x-SbTe 相变材料研究 | 第36-52页 |
| ·SiN_x-SbTe 相变薄膜的制备 | 第36-39页 |
| ·薄膜样品的制备条件 | 第36-38页 |
| ·薄膜成分计算 | 第38-39页 |
| ·SiN_x-SbTe 相变薄膜性能分析 | 第39-50页 |
| ·薄膜性能分析方法 | 第39-42页 |
| ·SiN_x-SbTe 薄膜结构分析 | 第42-45页 |
| ·非晶态热稳定性 | 第45-48页 |
| ·非晶态和晶态电学性能 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-52页 |
| 第三章 基于SiN_x –SbTe 材料的相变存储器件 | 第52-63页 |
| ·基于SiN_x–SbTe 材料的相变存储器件制备与测试方法 | 第52-58页 |
| ·原型器件制备工艺 | 第52-56页 |
| ·器件测试方法 | 第56-58页 |
| ·相变存储器件转变机理 | 第58-60页 |
| ·器件I-V 特性 | 第60-61页 |
| ·器件转变特性 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第四章总结与展望 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 攻读硕士期间发表学术论文 | 第66页 |