| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章 前言 | 第10-33页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·半导体存储器未来发展方向 | 第11-16页 |
| ·相变存储器概述 | 第16-18页 |
| ·发展历史与背景 | 第16页 |
| ·工作原理 | 第16-18页 |
| ·相变存储器研究现状 | 第18-31页 |
| ·相变存储器器件结构的研究现状 | 第18-21页 |
| ·相变存储器芯片的研究现状 | 第21-23页 |
| ·相变材料研究现状 | 第23-27页 |
| ·相变材料机理研究现状 | 第27-31页 |
| ·本论文的工作 | 第31-33页 |
| 第2章 SnTe 掺杂Ge_2Sb_2Te_5快速相变材料的研究 | 第33-50页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·实验简介 | 第33-40页 |
| ·SnTe-Ge_2Sb_2Te_5 薄膜的制备 | 第33-35页 |
| ·SnTe-Ge_2Sb_2Te_5 薄膜的表征 | 第35-37页 |
| ·SnTe-Ge_2Sb_2Te_5 薄膜的实验结果与讨论 | 第37-40页 |
| ·SnTe-Ge_2Sb_2Te_5 器件单元制备和表征 | 第40-48页 |
| ·实验方法 | 第40-46页 |
| ·实验结果与分析 | 第46-48页 |
| ·小结 | 第48-50页 |
| 第3章 基于(Ge_(1.8)Te)_x-(Bi_2Te_3)_(1-x)快速相变材料的研究 | 第50-64页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·实验方法 | 第50-52页 |
| ·(Ge_(1.8)Te)_x-(Bi_2Te_3)_(1-x) 薄膜的实验结果与讨论 | 第52-63页 |
| ·(Ge_(1.8)Te)_x-(Bi_2Te_3)_(1-x) 的R-T 测试结果 | 第52-53页 |
| ·(Ge_(1.8)Te)_x-(Bi_2Te_3)_(1-x) 薄膜的数据保持力测试 | 第53-56页 |
| ·(Ge_(1.8)Te)_x-(Bi_2Te_3)_(1-x) 薄膜的激光诱导结晶速度测试 | 第56-58页 |
| ·(Ge_(1.8)Te)_x-(Bi_2Te_3)_(1-x) 薄膜的XRD 测试 | 第58-61页 |
| ·基于(Ge_(1.8)Te)_x-(Bi_2Te_3)_(1-x) 的器件单元制备和电学性能测试 | 第61-63页 |
| ·小结 | 第63-64页 |
| 第4章 N_2掺杂Bi_2Te_3材料应用于相变存储器的研究 | 第64-71页 |
| ·引言 | 第64页 |
| ·实验方法 | 第64-65页 |
| ·Bi2_Te_3-N 薄膜的实验结果与讨论 | 第65-70页 |
| ·Bi2_Te_3-N 薄膜的R-T 测试结果 | 第65-66页 |
| ·Bi2_Te_3-N 薄膜的XRD 测试结果 | 第66-67页 |
| ·Bi2_Te_3-N 薄膜的晶粒尺寸分析 | 第67-68页 |
| ·Bi2_Te_3-N 薄膜的器件性能测试结果分析 | 第68-70页 |
| ·小结 | 第70-71页 |
| 第5章 总结与展望 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第85-87页 |
