| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第14-39页 |
| 1.1 课题背景及研究目的和意义 | 第14-15页 |
| 1.2 二维薄膜层状半导体的分类与研究进展 | 第15-24页 |
| 1.2.1 过渡金属硫化物 | 第15-18页 |
| 1.2.2 黑磷 | 第18-20页 |
| 1.2.3 Ⅲ-Ⅳ族层状化合物 | 第20-24页 |
| 1.3 二维硒化铟的制备与应用研究进展 | 第24-36页 |
| 1.3.1 制备研究 | 第24-27页 |
| 1.3.2 场效应晶体管 | 第27-31页 |
| 1.3.3 光电探测器件 | 第31-34页 |
| 1.3.4 异质结器件 | 第34-36页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第36-39页 |
| 1.4.1 目前存在的问题 | 第36-37页 |
| 1.4.2 主要内容 | 第37-39页 |
| 第2章 试验材料与方法 | 第39-44页 |
| 2.1 试剂材料 | 第39页 |
| 2.2 试验仪器 | 第39-40页 |
| 2.3 材料的表征方法 | 第40-41页 |
| 2.4 材料制备方法 | 第41-44页 |
| 2.4.1 块体InSe的制备与InSe薄膜场效应晶体管的制备 | 第41-42页 |
| 2.4.2 固相法合成多层InSe-CuInSe_2平面异质结 | 第42页 |
| 2.4.3 化学气相沉积法合成二维In_2Se_3薄膜及力学传感器制备 | 第42-44页 |
| 第3章 二维InSe的制备及其高性能场效应晶体管的界面调控研究 | 第44-78页 |
| 3.1 引言 | 第44页 |
| 3.2 InSe的结构表征 | 第44-49页 |
| 3.2.1 InSe的晶型结构表征 | 第44-45页 |
| 3.2.2 InSe的微观结构表征 | 第45-46页 |
| 3.2.3 二维InSe纳米片的拉曼光谱和荧光光谱 | 第46-49页 |
| 3.3 金属电极材料对InSe场效应晶体管电学性能的调控 | 第49-61页 |
| 3.3.1 InSe场效应晶体管的电学输运性质研究 | 第49-54页 |
| 3.3.2 不同电极的InSe场效应晶体管性能研究 | 第54-57页 |
| 3.3.3 金属电极与InSe界面研究 | 第57-61页 |
| 3.4 栅极电压诱导不稳定性能研究 | 第61-68页 |
| 3.4.1 常压条件下栅极电压诱导电学不稳定性 | 第61-66页 |
| 3.4.2 真空条件下栅极电压诱导电学不稳定性 | 第66-68页 |
| 3.5 介电层对InSe场效应晶体管电学性能的调控 | 第68-76页 |
| 3.5.1 不同介电层的多层InSe场效应晶体管的性能研究 | 第69-72页 |
| 3.5.2 介电层调控机理研究 | 第72-76页 |
| 3.6 本章小结 | 第76-78页 |
| 第4章 厚度调控的高响应InSe光电探测器性能研究 | 第78-92页 |
| 4.1 引言 | 第78页 |
| 4.2 InSe薄膜光电晶体管性能的研究 | 第78-87页 |
| 4.2.1 理论模拟InSe薄膜光吸收过程 | 第79-80页 |
| 4.2.2 InSe薄膜光探测性能研究 | 第80-87页 |
| 4.3 柔性InSe光电探测器性能研究 | 第87-90页 |
| 4.4 本章小结 | 第90-92页 |
| 第5章 InSe-CuInSe_2平面p-n异质结的制备及其光电性能研究 | 第92-108页 |
| 5.1 引言 | 第92-93页 |
| 5.2 二维CuInSe_2薄膜的表征及其光电性质的研究 | 第93-98页 |
| 5.2.1 二维CuInSe_2薄膜的结构表征 | 第93-94页 |
| 5.2.2 二维CuInSe_2薄膜光电性能研究 | 第94-98页 |
| 5.3 InSe-CuInSe_2薄膜平面异质结的表征及光电性质研究 | 第98-106页 |
| 5.3.1 InSe-CuInSe_2薄膜平面异质结的表征 | 第99-102页 |
| 5.3.2 InSe-CuInSe_2薄膜平面异质结电学性能研究 | 第102-104页 |
| 5.3.3 InSe-CuInSe_2薄膜平面异质结光伏效应研究 | 第104-106页 |
| 5.4 本章小结 | 第106-108页 |
| 第6章 二维In_2Se_3薄膜的制备及其电子皮肤传感性能研究 | 第108-122页 |
| 6.1 引言 | 第108-109页 |
| 6.2 二维In_2Se_3的合成与结构表征 | 第109-114页 |
| 6.2.1 二维In_2Se_3生长机理研究 | 第109-111页 |
| 6.2.2 二维In_2Se_3结构表征 | 第111-112页 |
| 6.2.3 图案化生长二维In_2Se_3薄膜 | 第112-114页 |
| 6.3 二维In_2Se_3薄膜的电学和压阻效应研究 | 第114-119页 |
| 6.3.1 二维In_2Se_3薄膜的电学输运性能 | 第114-115页 |
| 6.3.2 二维In_2Se_3薄膜的压阻效应 | 第115-119页 |
| 6.4 二维In_2Se_3薄膜电子皮肤对人体动作的传感性能研究 | 第119-121页 |
| 6.5 本章小结 | 第121-122页 |
| 结论 | 第122-124页 |
| 参考文献 | 第124-134页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第134-138页 |
| 致谢 | 第138-139页 |
| 个人简历 | 第139页 |
