| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第12-14页 |
| 1.1 什么是快速恢复二极管? | 第12页 |
| 1.2 FRD器件应用的国内外生产现状 | 第12-13页 |
| 1.2.1 国外FRD现状 | 第12-13页 |
| 1.2.2 国内FRD现状 | 第13页 |
| 1.3 本课题研究的意义 | 第13-14页 |
| 第二章 FRD基本结构、原理和参数 | 第14-24页 |
| 2.1 FRD器件设计采用的典型减压结构 | 第14-15页 |
| 2.2 PIN 二极管的工作原理 | 第15-18页 |
| 2.2.1 开通特性 | 第16-17页 |
| 2.2.2 关断特性 | 第17-18页 |
| 2.3 功率PIN二极管的主要性能参数 | 第18-21页 |
| 2.3.1 反向击穿电压 | 第19页 |
| 2.3.2 反向漏电流 | 第19页 |
| 2.3.3 反向恢复时间 | 第19-20页 |
| 2.3.4 反向恢复软度因子 | 第20页 |
| 2.3.5 向压降 | 第20-21页 |
| 2.4 FRD的寿命控制技术分类 | 第21-24页 |
| 2.4.1 常规寿命控制技术 | 第21-22页 |
| 2.4.2 整体寿命控制 | 第22页 |
| 2.4.3 局域寿命控制技术 | 第22-24页 |
| 第三章 1700V快恢复二极管(FRD)设计、模拟和制备 | 第24-63页 |
| 3.1 FRD器件设计技术指标 | 第24页 |
| 3.2 FRD器件结构设计 | 第24-29页 |
| 3.2.1 器件耐压终端结构的设计 | 第24-26页 |
| 3.2.2 PIN cell结构设计 | 第26-29页 |
| 3.3 1700V FRD器件结构仿真 | 第29-46页 |
| 3.3.1 反向击穿电压(V_r) | 第30-32页 |
| 3.3.2 相同场限压环间距度,不同场限压环的击穿特性 | 第32-34页 |
| 3.3.3 场限环结深的确定 | 第34-36页 |
| 3.3.4 反向恢复时间(t_(rr）) | 第36-39页 |
| 3.3.5 向导通电压(V_F) | 第39-43页 |
| 3.3.6 整体寿命控制技术--电子辐照对器件的影响 | 第43-46页 |
| 3.4 1700V快恢复二极管(FRD)的试制 | 第46-49页 |
| 3.4.1 1700V快恢复二极管(FRD)光刻版的设计 | 第46-47页 |
| 3.4.2 FRD制造工艺流程设计和实施 | 第47-48页 |
| 3.4.3 背面退火电子辐照实验过程 | 第48-49页 |
| 3.5 测试和结果分析 | 第49-63页 |
| 3.5.1 1700VFRD静态测试 | 第50-56页 |
| 3.5.2 动态测试 | 第56-59页 |
| 3.5.3 电子辐照实验结果和分析 | 第59-63页 |
| 第四章 结束语 | 第63-64页 |
| 4.1 主要工作与创新点 | 第63页 |
| 4.2 后续研究工作 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第67页 |
