中文摘要 | 第3-5页 |
ABSTRACT | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第9-19页 |
1.1 选题背景 | 第9页 |
1.2 转子材料国内外研究现状 | 第9-12页 |
1.3 奥氏体形核及长大行为 | 第12-14页 |
1.3.1 奥氏体形核与组织遗传 | 第12-13页 |
1.3.2 奥氏体晶粒长大行为 | 第13-14页 |
1.4 (过)深冷处理技术 | 第14-16页 |
1.4.1 (过)深冷处理技术概述 | 第14-15页 |
1.4.2 (过)深冷处理技术研究现状 | 第15-16页 |
1.5 论文的研究内容及意义 | 第16-19页 |
1.5.1 论文的研究内容 | 第16-17页 |
1.5.2 论文的意义 | 第17-19页 |
第二章 30Cr1Mo1V奥氏体晶核形成行为研究 | 第19-31页 |
2.1 引言 | 第19页 |
2.2 实验材料及方法 | 第19-21页 |
2.2.1 实验材料 | 第19-20页 |
2.2.2 实验方法 | 第20-21页 |
2.3 实验结果与讨论 | 第21-29页 |
2.3.1 30Cr1Mo1V高中压转子材料的奥氏体形核行为 | 第22-25页 |
2.3.2 30Cr2Ni4MoV低压转子材料奥氏体形核行为 | 第25-28页 |
2.3.3 30Cr1Mo1V及 30Cr2Ni4MoV材料的组织遗传 | 第28页 |
2.3.4 实验结果分析与讨论 | 第28-29页 |
2.4 本章小结 | 第29-31页 |
第三章 加热参数对 30Cr1Mo1V奥氏体晶粒长大行为的影响 | 第31-45页 |
3.1 引言 | 第31页 |
3.2 实验材料及方法 | 第31-32页 |
3.2.1 实验材料 | 第31页 |
3.2.2 实验方法 | 第31-32页 |
3.3 实验结果与讨论 | 第32-42页 |
3.3.1 低温区间的奥氏体晶粒长大行为 | 第32-35页 |
3.3.2 高温区间的晶粒长大行为 | 第35-39页 |
3.3.3 奥氏体晶粒长大模型的建立 | 第39-42页 |
3.4 本章小结 | 第42-45页 |
第四章 过(深)冷处理对 30Cr1Mo1V晶粒细化的影响 | 第45-53页 |
4.1 引言 | 第45页 |
4.2 实验材料与方法 | 第45-46页 |
4.3 实验结果与讨论 | 第46-51页 |
4.3.1 过(深)冷处理对奥氏体形核的影响 | 第46-48页 |
4.3.2 过(深)冷处理对 30Cr1Mo1V奥氏体晶粒长大行为的影响 | 第48-51页 |
4.4 本章小结 | 第51-53页 |
第五章 结论与展望 | 第53-57页 |
5.1 结论 | 第53-54页 |
5.2 展望 | 第54-57页 |
参考文献 | 第57-63页 |
致谢 | 第63-65页 |
攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第65页 |