| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第13-24页 |
| 1.1 本课题的研究背景与意义 | 第13-14页 |
| 1.2 单晶SiC的材料特性 | 第14-17页 |
| 1.2.1 单晶SiC的晶体结构 | 第14-16页 |
| 1.2.2 单晶SiC的物理性质 | 第16-17页 |
| 1.2.3 单晶SiC的化学性质 | 第17页 |
| 1.3 单晶SiC基片表面及亚表面损伤研究现状 | 第17-22页 |
| 1.3.1 亚表面损伤模型 | 第18-19页 |
| 1.3.2 亚表面损伤产生机理 | 第19-20页 |
| 1.3.3 亚表面损伤检测技术 | 第20-22页 |
| 1.4 课题的来源 | 第22页 |
| 1.5 论文主要研究内容 | 第22-24页 |
| 第二章 单晶SiC基片亚表面损伤检测方法试验研究 | 第24-35页 |
| 2.1 引言 | 第24页 |
| 2.2 角度抛光法 | 第24-27页 |
| 2.3 截面显微法 | 第27-33页 |
| 2.3.1 传统截面显微法 | 第27-28页 |
| 2.3.2 解理截面显微法 | 第28-30页 |
| 2.3.3 两种截面显微法实验结果的分析比较 | 第30-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-35页 |
| 第三章 单晶SiC材料压痕裂纹扩展机理 | 第35-43页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 压痕裂纹的分类 | 第35-37页 |
| 3.3 单晶SiC材料压痕试验研究 | 第37-41页 |
| 3.3.1 压痕试验 | 第37-38页 |
| 3.3.2 试验结果与分析 | 第38-41页 |
| 3.4 单晶SiC材料压痕裂纹形成过程分析 | 第41-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 单晶SiC基片加工表面及亚表面损伤和材料去除机理研究 | 第43-66页 |
| 4.1 引言 | 第43页 |
| 4.2 单晶SiC切割表面及亚表面损伤特征 | 第43-45页 |
| 4.3 单晶SiC研磨表面及亚表面损伤特征和材料去除机理 | 第45-51页 |
| 4.3.1 试验方案 | 第45-46页 |
| 4.3.2 试验结果及分析 | 第46-48页 |
| 4.3.3 材料去除机理 | 第48-51页 |
| 4.4 单晶SiC磨削表面及亚表面损伤特征和材料去除机理 | 第51-59页 |
| 4.4.1 试验方案 | 第51-52页 |
| 4.4.2 试验结果及分析 | 第52-57页 |
| 4.4.3 材料去除机理 | 第57-59页 |
| 4.5 单晶SiC抛光表面及亚表面损伤特征和材料去除机理 | 第59-64页 |
| 4.5.1 试验方案 | 第59-60页 |
| 4.5.2 试验结果及分析 | 第60-61页 |
| 4.5.3 材料去除机理 | 第61-64页 |
| 4.6 本章小结 | 第64-66页 |
| 结论与展望 | 第66-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
