| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| CONTENT | 第10-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-28页 |
| 1.1 透明导电氧化物半导体的研究背景 | 第13-14页 |
| 1.2 P型铜铁矿结构透明导电氧化物的国内外研究进展 | 第14-16页 |
| 1.3 P型CuCrO_2的简介 | 第16-23页 |
| 1.3.1 CuCrO_2的晶体结构 | 第16-17页 |
| 1.3.2 CuCrO_2的能带结构 | 第17-18页 |
| 1.3.3 CuCrO_2薄膜的性能 | 第18-19页 |
| 1.3.4 CuCrO_2薄膜的制备方法 | 第19-23页 |
| 1.4 CuCrO_2薄膜的应用前景 | 第23-26页 |
| 1.5 论文的研究意义与主要内容 | 第26-28页 |
| 第二章 CuCrO_2薄膜的制备及表征方法 | 第28-38页 |
| 2.1 薄膜的制备工艺 | 第28-32页 |
| 2.1.1 磁控溅射法原理 | 第28-29页 |
| 2.1.2 薄膜的制备工艺 | 第29-32页 |
| 2.2 薄膜的表征方法 | 第32-38页 |
| 2.2.1 X射线衍射分析 | 第32-33页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜分析 | 第33-34页 |
| 2.2.3 紫外-可见光透射光谱分析 | 第34-35页 |
| 2.2.4 薄膜的厚度测量 | 第35-37页 |
| 2.2.5 薄膜的电学性能测量 | 第37-38页 |
| 第三章 CuCrO_2薄膜的制备工艺优化 | 第38-60页 |
| 3.1 氧氩比对CuCrO_2薄膜的性能影响 | 第38-44页 |
| 3.1.1 氧氩比对CuCrO_2薄膜的物相结构的影响 | 第39-40页 |
| 3.1.2 氧氩比对CuCrO_2薄膜的表面形貌的影响 | 第40-41页 |
| 3.1.3 氧氩比对CuCrO_2薄膜的光学性能的影响 | 第41-44页 |
| 3.2 溅射气压对CuCrO_2薄膜的性能影响 | 第44-52页 |
| 3.2.1 CuCrO_2薄膜的沉积速率与溅射气压P_w的关系 | 第45-46页 |
| 3.2.2 溅射气压对CuCrO_2薄膜的物相结构的影响 | 第46-48页 |
| 3.2.3 溅射气压对CuCrO_2薄膜的表面形貌的影响 | 第48-50页 |
| 3.2.4 溅射气压对CuCrO_2薄膜的光学性能的影响 | 第50-52页 |
| 3.3 退火温度对CuCrO_2薄膜的性能影响 | 第52-58页 |
| 3.3.1 退火温度对CuCrO_2薄膜的物相结构的影响 | 第53-54页 |
| 3.3.2 退火温度对CuCrO_2薄膜的表面形貌的影响 | 第54-55页 |
| 3.3.3 退火温度对CuCrO_2薄膜的光学性能的影响 | 第55-58页 |
| 3.4 本章小结 | 第58-60页 |
| 第四章 p-CuCrO_2n-Si异质结的制备与性能研究 | 第60-68页 |
| 4.1 p-CuCrO_2/n-Si异质结的制备 | 第60-62页 |
| 4.1.1 样品制备 | 第60-61页 |
| 4.1.2 电极的制备 | 第61-62页 |
| 4.1.3 p-CuCrO_2/n-Si异质结的测试 | 第62页 |
| 4.2 p-CuCrO_2/n-Si异质结的性能测试 | 第62-67页 |
| 4.2.1 p-CuCrO_2/n-Si质结的物相结构分析 | 第62-63页 |
| 4.2.2 p-CuCrO_2/n-Si异质结的表面形貌分析 | 第63-64页 |
| 4.2.3 p-CuCrO_2/n-Si异质结的Ⅰ-Ⅴ特性分析 | 第64-67页 |
| 4.3 本章小结 | 第67-68页 |
| 全文总结 | 第68-70页 |
| 特色与创新之处 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-76页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
