摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6页 |
第一章 绪论 | 第9-19页 |
1.1 引言 | 第9-10页 |
1.2 表面等离子共振结构的研究现状 | 第10-15页 |
1.3 表面等离子共振结构的应用 | 第15-18页 |
1.4 本论文的主要研究内容及章节安排 | 第18-19页 |
第二章 理论基础 | 第19-29页 |
2.1 引言 | 第19页 |
2.2 金属的自由电子气模型(Drude模型) | 第19-20页 |
2.3 表面等离子激元的基本理论 | 第20-25页 |
2.3.1 表面等离子体的色散关系 | 第20-22页 |
2.3.2 表面等离子体的激发方式 | 第22-25页 |
2.4 局域表面等离子体的基本理论 | 第25-26页 |
2.5 Fano共振 | 第26-28页 |
2.5.1 Fano共振简介 | 第26-27页 |
2.5.2 金属纳米结构的Fano共振 | 第27-28页 |
2.6 本章小结 | 第28-29页 |
第三章 二维周期性V型金属结构的设计 | 第29-37页 |
3.1 引言 | 第29页 |
3.2 数值模拟方法 | 第29-32页 |
3.2.1 有限元分析法 | 第29-30页 |
3.2.2 有限元法软件COMSOL Multiphysics | 第30-32页 |
3.3 二维周期性V型金属结构的仿真设计 | 第32-35页 |
3.3.1 单个梯形金属条结构和矩形金属条结构场增强对比 | 第32-33页 |
3.3.2 二维周期性V型金属结构的场增强 | 第33-35页 |
3.3.3 二维周期性V型金属结构的优势 | 第35页 |
3.4 本章小结 | 第35-37页 |
第四章 二维周期性V型金属结构的实验制备 | 第37-53页 |
4.1 引言 | 第37页 |
4.2 硅基腐蚀工艺 | 第37-42页 |
4.2.1 单晶硅的晶体结构 | 第37-39页 |
4.2.2 硅的各向异性湿法腐蚀 | 第39-40页 |
4.2.3 湿法腐蚀溶液的选择 | 第40-41页 |
4.2.4 KOH溶液配比 | 第41-42页 |
4.3 V型槽结构制备工艺流程及设备 | 第42-44页 |
4.3.1 工艺流程简述 | 第42-43页 |
4.3.2 设备仪器说明 | 第43-44页 |
4.4 具体实验步骤分析 | 第44-50页 |
4.4.1 硅片清洗 | 第44-45页 |
4.4.2 底层硅掩膜制作 | 第45-47页 |
4.4.3 底层硅腐蚀减薄 | 第47-48页 |
4.4.4 顶层硅V型结构制备 | 第48-50页 |
4.5 结果分析以及改进方法 | 第50-51页 |
4.6 本章小结 | 第51-53页 |
第五章 总结与展望 | 第53-55页 |
5.1 论文的主要工作 | 第53-54页 |
5.2 下一步工作展望 | 第54-55页 |
致谢 | 第55-57页 |
参考文献 | 第57-63页 |
作者简介 | 第63页 |