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二维周期性Ⅴ型金属等离子体共振结构的设计与制备

摘要第5-6页
Abstract第6页
第一章 绪论第9-19页
    1.1 引言第9-10页
    1.2 表面等离子共振结构的研究现状第10-15页
    1.3 表面等离子共振结构的应用第15-18页
    1.4 本论文的主要研究内容及章节安排第18-19页
第二章 理论基础第19-29页
    2.1 引言第19页
    2.2 金属的自由电子气模型(Drude模型)第19-20页
    2.3 表面等离子激元的基本理论第20-25页
        2.3.1 表面等离子体的色散关系第20-22页
        2.3.2 表面等离子体的激发方式第22-25页
    2.4 局域表面等离子体的基本理论第25-26页
    2.5 Fano共振第26-28页
        2.5.1 Fano共振简介第26-27页
        2.5.2 金属纳米结构的Fano共振第27-28页
    2.6 本章小结第28-29页
第三章 二维周期性V型金属结构的设计第29-37页
    3.1 引言第29页
    3.2 数值模拟方法第29-32页
        3.2.1 有限元分析法第29-30页
        3.2.2 有限元法软件COMSOL Multiphysics第30-32页
    3.3 二维周期性V型金属结构的仿真设计第32-35页
        3.3.1 单个梯形金属条结构和矩形金属条结构场增强对比第32-33页
        3.3.2 二维周期性V型金属结构的场增强第33-35页
        3.3.3 二维周期性V型金属结构的优势第35页
    3.4 本章小结第35-37页
第四章 二维周期性V型金属结构的实验制备第37-53页
    4.1 引言第37页
    4.2 硅基腐蚀工艺第37-42页
        4.2.1 单晶硅的晶体结构第37-39页
        4.2.2 硅的各向异性湿法腐蚀第39-40页
        4.2.3 湿法腐蚀溶液的选择第40-41页
        4.2.4 KOH溶液配比第41-42页
    4.3 V型槽结构制备工艺流程及设备第42-44页
        4.3.1 工艺流程简述第42-43页
        4.3.2 设备仪器说明第43-44页
    4.4 具体实验步骤分析第44-50页
        4.4.1 硅片清洗第44-45页
        4.4.2 底层硅掩膜制作第45-47页
        4.4.3 底层硅腐蚀减薄第47-48页
        4.4.4 顶层硅V型结构制备第48-50页
    4.5 结果分析以及改进方法第50-51页
    4.6 本章小结第51-53页
第五章 总结与展望第53-55页
    5.1 论文的主要工作第53-54页
    5.2 下一步工作展望第54-55页
致谢第55-57页
参考文献第57-63页
作者简介第63页

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