| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 第一性原理在二维材料中的应用进展 | 第11-41页 |
| 1.1 引言 | 第11-15页 |
| 1.2 二维过渡金属硫属化合物概述 | 第15-16页 |
| 1.3 二维过渡金属硫属化合物的制备及应用 | 第16-21页 |
| 1.3.1 二维过渡金属硫属化合物的制备 | 第16-17页 |
| 1.3.2 二维过渡金属硫属化合物的应用 | 第17-21页 |
| 1.4 第一性原理在二维过渡金属硫属化合物中的研究进展 | 第21-27页 |
| 1.4.1 二维过渡金属硫属化合物的结构相变 | 第21-22页 |
| 1.4.2 二维过渡金属硫属化合物的基本性质 | 第22-27页 |
| 1.5 密度泛函理论和计算工具 | 第27-32页 |
| 1.5.1 密度泛函理论 | 第27-32页 |
| 1.5.1.1 Thomas-Fermi-Dirac理论 | 第28页 |
| 1.5.1.2 Hohenberg –Kohn理论 | 第28-29页 |
| 1.5.1.3 Kohn-Sham方程 | 第29-30页 |
| 1.5.1.4 交换关联势：局域密度近似和广义梯度近似 | 第30-31页 |
| 1.5.1.5 平面波基组与赝势 | 第31-32页 |
| 1.5.2 计算工具 | 第32页 |
| 1.6 选题思路和研究目的 | 第32-34页 |
| 参考文献 | 第34-41页 |
| 第二章 单层二硫化钼零维团簇的结构相转变 | 第41-55页 |
| 2.1 研究背景 | 第41页 |
| 2.2 计算细节 | 第41-42页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第42-52页 |
| 2.3.1 2H和1T相MoS_2团簇的结构稳定性和态密度分析 | 第42-47页 |
| 2.3.2 MX_2相图 | 第47-52页 |
| 2.4 本章小结 | 第52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 第三章 二维二硫化钼/石墨烯异质结的界面电荷转移及掺杂特性 | 第55-69页 |
| 3.1 前言 | 第55-56页 |
| 3.2 模型与计算细节 | 第56页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第56-65页 |
| 3.3.1 结构优化与稳定性 | 第56-58页 |
| 3.3.2 电子性质 | 第58-62页 |
| 3.3.3 光学性质 | 第62-65页 |
| 3.3.3.1 基本光学常数n和k | 第62-63页 |
| 3.3.3.2 二硫化钼/石墨烯复合物的介电函数 | 第63页 |
| 3.3.3.3 洛伦兹（Lorentz）色散原理和Drude色散理论 | 第63-65页 |
| 3.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 第四章 碳化硅基底上二硫化钼的结构与电子性质 | 第69-78页 |
| 4.1 引言 | 第69页 |
| 4.2 计算模型与计算方法 | 第69-70页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第70-74页 |
| 4.3.1 模型结构优化，稳定性和电荷转移 | 第70-72页 |
| 4.3.2 分波态密度和能带结构 | 第72-74页 |
| 4.4 本章小结 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
| 第五章 二维二硫化钼/氮化硼/石墨烯异质结的电场效应及应力调控 | 第78-89页 |
| 5.1 引言 | 第78-79页 |
| 5.2 计算模型与参数设置 | 第79页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第79-85页 |
| 5.3.1 二硫化钼/氮化硼/石墨烯异质结的稳定性和电荷转移 | 第79-82页 |
| 5.3.2 电子结构 | 第82-85页 |
| 5.4 本章小结 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-89页 |
| 第六章 二维VS_2-ZnO复合物的结构与场发射性质 | 第89-99页 |
| 6.1 引言 | 第89页 |
| 6.2 计算模型和计算方法 | 第89-90页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第90-95页 |
| 6.3.1 几何结构和结合能 | 第90-92页 |
| 6.3.2 电荷密度、一次差分电荷密度和电荷转移 | 第92-94页 |
| 6.3.3 导带和价带的电荷密度分布 | 第94页 |
| 6.3.4 功函和电离势 | 第94-95页 |
| 6.4 本章小结 | 第95页 |
| 参考文献 | 第95-99页 |
| 第七章 结论与展望 | 第99-101页 |
| 在学期间的研究成果 | 第101-102页 |
| 致谢 | 第102页 |
