| 中文摘要 | 第7-10页 |
| Abstract | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第13-27页 |
| 1.1 狄拉克材料石墨烯简介 | 第14-20页 |
| 1.1.1 石墨烯的结构及特性 | 第14-17页 |
| 1.1.2 石墨烯的应用前景及研究进展 | 第17-20页 |
| 1.2 狄拉克材料拓扑绝缘体简介 | 第20-22页 |
| 1.2.1 拓扑绝缘体的结构及特性 | 第20-21页 |
| 1.2.2 拓扑绝缘体的应用前景及研究进展 | 第21-22页 |
| 1.3 论文的选题依据以及内容概要 | 第22-24页 |
| 参考文献 | 第24-27页 |
| 第二章 狄拉克材料的制备与表征 | 第27-42页 |
| 2.1 石墨烯的制备方法 | 第27-31页 |
| 2.2 拓扑绝缘体Bi_2Se_3的制备方法 | 第31-34页 |
| 2.3 狄拉克材料的表征手段 | 第34-40页 |
| 参考文献 | 第40-42页 |
| 第三章 狄拉克材料石墨烯在石英基底上的直接制备 | 第42-54页 |
| 3.1 实验方法 | 第42-43页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第43-51页 |
| 3.2.1 石墨烯的形貌结构分析 | 第43-44页 |
| 3.2.2 石墨烯的拉曼及光学特性分析 | 第44-46页 |
| 3.2.3 石墨烯的质量分析 | 第46-48页 |
| 3.2.4 石墨烯的生长机理分析 | 第48-51页 |
| 3.3 本章小结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 第四章 狄拉克材料石墨烯在光纤表面的直接制备 | 第54-64页 |
| 4.1 实验方法 | 第54-56页 |
| 4.2 实验结果和讨论 | 第56-61页 |
| 4.2.1 石墨烯的表面结构分析 | 第56-57页 |
| 4.2.2 石墨烯的拉曼光谱分析 | 第57-59页 |
| 4.2.3 石墨烯的TEM分析 | 第59页 |
| 4.2.4 石墨烯的生长机理分析 | 第59-61页 |
| 4.3 本章小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 第五章 狄拉克材料石墨烯基 3D拉曼增强基底 | 第64-78页 |
| 5.1 实验方法 | 第65-66页 |
| 5.2 结果与讨论 | 第66-75页 |
| 5.2.1 石墨烯基 3D拉曼增强基底的表面形貌分析 | 第66-68页 |
| 5.2.2 石墨烯基 3D拉曼增强基底的拉曼增强效果分析 | 第68-70页 |
| 5.2.3 石墨烯基 3D拉曼增强基底的拉曼增强效果对比分析 | 第70-72页 |
| 5.2.4 石墨烯基 3D拉曼增强基底的稳定性分析 | 第72-73页 |
| 5.2.5 石墨烯基 3D拉曼增强基底增强特性的理论验证 | 第73-75页 |
| 5.3 本章小结 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-78页 |
| 第六章 狄拉克材料石墨烯@铜纳米颗粒拉曼增强基底 | 第78-91页 |
| 6.1 实验方法 | 第78-80页 |
| 6.2 结果与讨论 | 第80-87页 |
| 6.2.1 石墨烯@铜纳米颗粒拉曼增强基底的结构分析 | 第80-81页 |
| 6.2.2 石墨烯@铜纳米颗粒拉曼增强基底的拉曼光谱分析 | 第81-82页 |
| 6.2.3 石墨烯@铜纳米颗粒拉曼增强基底的增强效果分析 | 第82-84页 |
| 6.2.4 石墨烯@铜纳米颗粒拉曼增强基底的稳定性分析 | 第84-85页 |
| 6.2.5 石墨烯@铜纳米颗粒拉曼增强基底增强特性的理论验证 | 第85-87页 |
| 6.3 本章小结 | 第87-88页 |
| 参考文献 | 第88-91页 |
| 第七章 复合型狄拉克材料Bi_2Se_3/石墨烯的制备 | 第91-100页 |
| 7.1 实验方法 | 第91-92页 |
| 7.2 结果与讨论 | 第92-97页 |
| 7.2.1 Bi_2Se_3/石墨烯的表面形貌分析 | 第92-94页 |
| 7.2.2 Bi_2Se_3/石墨烯的拉曼光谱分析 | 第94-95页 |
| 7.2.3 Bi_2Se_3/石墨烯制备过程中生长工艺的分析 | 第95-97页 |
| 7.3 本章小结 | 第97-98页 |
| 参考文献 | 第98-100页 |
| 第八章 总结 | 第100-104页 |
| 8.1 主要结论 | 第100-101页 |
| 8.2 主要创新点 | 第101-104页 |
| 攻读博士学位期间完成的论文 | 第104-108页 |
| 攻读博士学位期间申请的专利 | 第108-109页 |
| 攻读博士学位期间获得的荣誉奖励 | 第109-110页 |
| 致谢 | 第110页 |
