| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 1 绪论 | 第11-21页 |
| ·国内外研究现状 | 第12-16页 |
| ·石墨烯的结构性能 | 第12-13页 |
| ·石墨烯的制备 | 第13-14页 |
| ·氧化石墨烯的结构性能 | 第14-15页 |
| ·氧化石墨烯气敏性能 | 第15-16页 |
| ·存在的主要问题 | 第16页 |
| ·选题依据及意义 | 第16-17页 |
| ·主要研究内容 | 第17-18页 |
| ·主要研究成果 | 第18页 |
| ·主要创新点 | 第18-19页 |
| ·主要工作量 | 第19-21页 |
| 2 热还原法制备不同还原程度氧化石墨烯及气敏性能 | 第21-55页 |
| ·不同还原程度氧化石墨烯的制备及表征 | 第21-34页 |
| ·实验 | 第21-24页 |
| ·结果与讨论 | 第24-34页 |
| ·阻温特性及机理分析 | 第34-38页 |
| ·还原温度对还原氧化石墨烯样品电阻的影响 | 第34-35页 |
| ·还原温度对还原氧化石墨烯电阻 - 温度特性的影响 | 第35-38页 |
| ·元件对CH_4的 敏感性 | 第38-46页 |
| ·还原氧化石墨烯元件对CH_4敏 感性的静态响应 | 第38-41页 |
| ·还原氧化石墨烯元件对CH_4敏 感性的动态响应 | 第41-46页 |
| ·元件对H_2的 敏感性 | 第46-49页 |
| ·还原氧化石墨烯元件对H_2敏 感性的静态响应 | 第46-48页 |
| ·还原氧化石墨烯元件对H_2敏 感性的动态响应 | 第48-49页 |
| ·与不同氧化程度氧化石墨烯元件敏感性的对比研究 | 第49-51页 |
| ·不同氧化程度氧化石墨烯元件对CH_4的 敏感性 | 第49-50页 |
| ·不同氧化程度氧化石墨烯元件对H_2的 敏感性 | 第50-51页 |
| ·气敏特性机理分析 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 3 化学法制备不同还原程度氧化石墨烯及气敏性能 | 第55-72页 |
| ·不同还原程度氧化石墨烯的制备及表征 | 第55-63页 |
| ·实验 | 第55-57页 |
| ·结果与讨论 | 第57-63页 |
| ·阻温特性及机理分析 | 第63-66页 |
| ·水合肼用量对还原氧化石墨烯样品电阻的影响 | 第63页 |
| ·水合肼用量对还原氧化石墨烯电阻 - 温度特性影响 | 第63-66页 |
| ·元件对CH_4的 敏感性 | 第66-68页 |
| ·还原氧化石墨烯元件对CH_4敏 感性的静态响应 | 第66-67页 |
| ·还原氧化石墨烯元件对CH_4敏 感性的动态响应 | 第67-68页 |
| ·元件对H_2的 敏感性 | 第68-70页 |
| ·还原氧化石墨烯元件对H_2敏 感性的静态响应 | 第68-69页 |
| ·还原氧化石墨烯元件对H_2敏 感性的动态响应 | 第69-70页 |
| ·气敏特性机理分析 | 第70-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 4 化学气相沉积法制备石墨烯及影响因素 | 第72-96页 |
| ·实验 | 第72-75页 |
| ·实验原理 | 第72-73页 |
| ·实验原料与试剂 | 第73页 |
| ·仪器设备 | 第73页 |
| ·实验步骤 | 第73-75页 |
| ·样品表征 | 第75页 |
| ·甲烷浓度对石墨烯质量的影响 | 第75-80页 |
| ·实验方案设计 | 第75-76页 |
| ·实验结果与讨论 | 第76-80页 |
| ·退火时间对石墨烯质量的影响 | 第80-84页 |
| ·实验方案设计 | 第80-81页 |
| ·实验结果与讨论 | 第81-84页 |
| ·反应温度对石墨烯质量的影响 | 第84-88页 |
| ·实验方案设计 | 第84-85页 |
| ·实验结果与讨论 | 第85-88页 |
| ·CVD反 应时间对石墨烯质量的影响 | 第88-92页 |
| ·实验方案设计 | 第88-89页 |
| ·实验结果与讨论 | 第89-92页 |
| ·化学气相沉积法制备石墨烯的最佳条件 | 第92-94页 |
| ·本章小结 | 第94-96页 |
| 结论 | 第96-98页 |
| 致谢 | 第98-99页 |
| 参考文献 | 第99-107页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文及研究成果 | 第107页 |