MEMS气体传感器用红外光源研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| ·课题研究背景及意义 | 第9-10页 |
| ·MEMS 技术简介 | 第10-11页 |
| ·红外辐射基础理论 | 第11-14页 |
| ·红外辐射 | 第11-12页 |
| ·黑体辐射基本定律 | 第12-13页 |
| ·实际物体的辐射 | 第13-14页 |
| ·基尔霍夫定律 | 第14页 |
| ·国内外 MEMS 红外光源研究现状 | 第14-17页 |
| ·国外研究现状 | 第14-17页 |
| ·国内研究现状 | 第17页 |
| ·本论文主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 MEMS 红外光源的设计、仿真 | 第19-34页 |
| ·MEMS 红外光源的设计 | 第19-26页 |
| ·稳态分析 | 第19-21页 |
| ·响应分析 | 第21-22页 |
| ·加热电阻材料 | 第22页 |
| ·支撑层材料 | 第22-23页 |
| ·辐射区表面发射率增强方法 | 第23-24页 |
| ·结构及尺寸设计 | 第24-26页 |
| ·MEMS 红外光源有限元仿真 | 第26-29页 |
| ·注入工艺 TCAD 仿真 | 第29-33页 |
| ·离子注入系统介绍 | 第29-31页 |
| ·注入工艺中的沟道效应 | 第31-32页 |
| ·注入工艺仿真 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 流片实验 | 第34-61页 |
| ·工艺介绍 | 第34-41页 |
| ·清洗 | 第34页 |
| ·薄膜生长 | 第34-36页 |
| ·光刻工艺 | 第36-38页 |
| ·腐蚀 | 第38-40页 |
| ·金属化 | 第40-41页 |
| ·MEMS 红外光源版图设计 | 第41-45页 |
| ·单项实验 | 第45-50页 |
| ·多晶硅刻蚀实验 | 第45-47页 |
| ·等离子刻蚀法制备黑硅实验 | 第47-48页 |
| ·背面深刻蚀实验 | 第48-50页 |
| ·工艺流程设计及流片 | 第50-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第四章 MEMS 红外光源性能测试 | 第61-71页 |
| ·辐射区红外吸收特性测试 | 第61-62页 |
| ·I-V 测试 | 第62页 |
| ·光谱辐射特性测试 | 第62-65页 |
| ·光谱辐射特性测试系统标定方法 | 第63-64页 |
| ·MEMS 红外光源光谱辐射特性测试 | 第64-65页 |
| ·辐射区温度场分布测试 | 第65-68页 |
| ·热像仪测温方法 | 第66-67页 |
| ·MEMS 红外光源辐射区温度场分布测试 | 第67-68页 |
| ·调制特性测试 | 第68-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 第五章 总结与展望 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |
| 附录 A | 第75-79页 |
| 攻读硕士学位期间所取得的研究成果 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
