DSP的总剂量效应研究

摘要	第1-4页
Abstract	第4-7页
第一章 绪论	第7-15页
·课题研究背景	第7页
·空间辐射效应及研究方法	第7-9页
·空间辐射效应	第7-8页
·总剂量试验方法	第8-9页
·DSP 总剂量效应的国内外现状	第9-12页
·国外研究现状	第9-10页
·国内研究现状	第10-12页
·论文组织结构	第12-15页
第二章 MOS 器件的总剂量效应分析	第15-31页
·MOSFET 总剂量效应分析	第15-22页
·总剂量效应概述	第16-17页
·MOS 器件的阈值电压漂移	第17-18页
·MOS 器件的漏电流分析	第18-21页
·MOS 器件总剂量下的最劣偏置	第21-22页
·CMOS 单元电路的总剂量效应分析	第22-30页
·总剂量效应的失效表征	第23页
·CMOS 单元电路的总剂量效应分析	第23-29页
·CMOS 单元电路的最劣偏置	第29-30页
·本章小结	第30-31页
第三章 DSP 的总剂量敏感性分析	第31-45页
·TMS320C6701 的基本结构与工作原理	第31-33页
·CPU 单元	第31-32页
·片上存储器	第32页
·外设单元	第32-33页
·DSP 总剂量敏感性分析	第33-42页
·输入输出电路总剂量效应分析	第34-40页
·内核电路的总剂量效应分析	第40-42页
·DSP 总剂量试验的关键性能参数	第42-43页
·本章小结	第43-45页
第四章 DSP 总剂量实验方案设计	第45-57页
·国内外总剂量试验标准对比	第45-46页
·总剂量试验方法研究	第46-49页
·剂量率的选择	第46-47页
·偏置的选择	第47-48页
·退火的选择	第48-49页
·DSP 的总剂量实验方案	第49-54页
·DSP 总剂量测试系统	第49-51页
·静态试验的流程及调试	第51-53页
·动态试验的流程及调试	第53-54页
·本章小结	第54-57页
第五章 总结与展望	第57-59页
致谢	第59-61页
参考文献	第61-64页