摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-9页 |
第1章 绪论 | 第9-34页 |
·课题意义与研究背景 | 第9-14页 |
·大规模集成电路的发展趋势与瓶颈 | 第9-12页 |
·光互连与硅基激光器 | 第12-14页 |
·硅基发光的研究进展 | 第14-29页 |
·硅基纳米材料 | 第15-25页 |
·Er 掺杂硅基发光材料与器件 | 第25-26页 |
·缺陷中心发光 | 第26-27页 |
·Si-Ge 应变体系 | 第27-29页 |
·硅能带结构的第一性原理模拟 | 第29-32页 |
·计算机模拟与材料科学 | 第29-30页 |
·硅基能带计算实例 | 第30-32页 |
·论文的主要内容与贡献 | 第32-34页 |
第2章 实验方法与理论计算 | 第34-42页 |
·本章引论 | 第34页 |
·制备方法 | 第34-36页 |
·Ag 催化腐蚀制备多孔硅纳米线 | 第34-35页 |
·多孔硅纳米线的硒化处理 | 第35-36页 |
·分析方法 | 第36-37页 |
·扫描电子显微镜 | 第36页 |
·透射电子显微镜 | 第36页 |
·X 射线光电子能谱 | 第36页 |
·傅里叶变换红外光谱 | 第36-37页 |
·光吸收谱 | 第37页 |
·光致发光谱 | 第37页 |
·计算方法简述 | 第37-42页 |
·密度泛函理论 | 第37-39页 |
·计算软件包 | 第39-40页 |
·能带计算 | 第40页 |
·电子态密度 | 第40-41页 |
·光学跃迁矩阵元 | 第41-42页 |
第3章 网络硅的表面钝化 | 第42-61页 |
·本章引论 | 第42-43页 |
·氧钝化网络硅的能带结构 | 第43-50页 |
·计算方法 | 第43-44页 |
·氧钝化网络硅的能带结构 | 第44-50页 |
·H、O、N 表面钝化对网络硅能带结构的改性 | 第50-57页 |
·计算方法 | 第50-52页 |
·不同钝化网络硅的能带结构 | 第52-54页 |
·不同钝化网络硅的光学性能 | 第54-55页 |
·表面钝化网络硅的电子态密度 | 第55-57页 |
·硅纳米线的表面钝化 | 第57-59页 |
·本章小结 | 第59-61页 |
第4章 超薄硅薄膜的能带结构 | 第61-74页 |
·本章引论 | 第61页 |
·计算方法 | 第61-64页 |
·超薄硅薄膜的电子能带与态密度 | 第64-72页 |
·超薄硅薄膜的能带结构和态密度 | 第64-69页 |
·超薄硅薄膜的能带转变机制 | 第69-72页 |
·超薄硅薄膜的光学性能 | 第72页 |
·本章小结 | 第72-74页 |
第5章 多孔硅纳米线阵列的制备与发光性能 | 第74-94页 |
·本章引论 | 第74-75页 |
·多孔硅纳米线的制备与形貌表征 | 第75-80页 |
·多孔硅纳米线的形成机制 | 第80-83页 |
·多孔硅纳米线的光致发光性能 | 第83-92页 |
·不同参数多孔硅纳米线的 PL 谱 | 第83-85页 |
·多孔硅纳米线的发光机制 | 第85-92页 |
·本章小结 | 第92-94页 |
第6章 多孔硅纳米线的硒化 | 第94-104页 |
·本章引论 | 第94页 |
·硒化多孔硅纳米线的制备与形貌 | 第94-95页 |
·硒化多孔硅纳米线的稳态发光 | 第95-99页 |
·硒化多孔硅纳米线的瞬态发光 | 第99-102页 |
·硒化多孔硅纳米线的缺陷发光 | 第102页 |
·本章小结 | 第102-104页 |
第7章 Core-shell 结构硅纳米线阵列的制备 | 第104-117页 |
·本章引论 | 第104-105页 |
·实验方案 | 第105-107页 |
·Core-shell 结构硅纳米线阵列的制备 | 第107-116页 |
·PS 小球模板的排布 | 第107页 |
·PS 小球的反应离子刻蚀 | 第107-108页 |
·Ag 膜的沉积 | 第108-109页 |
·PS 小球模板的去除 | 第109-111页 |
·硅纳米线阵列的制备 | 第111-112页 |
·干法氧化 | 第112-115页 |
·氧化自饱和 | 第115-116页 |
·本章小结 | 第116-117页 |
第8章 结论 | 第117-119页 |
参考文献 | 第119-131页 |
致谢 | 第131-133页 |
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第133-134页 |