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硅纳米材料的制备、模拟与发光性能研究

摘要第1-4页
Abstract第4-9页
第1章 绪论第9-34页
   ·课题意义与研究背景第9-14页
     ·大规模集成电路的发展趋势与瓶颈第9-12页
     ·光互连与硅基激光器第12-14页
   ·硅基发光的研究进展第14-29页
     ·硅基纳米材料第15-25页
     ·Er 掺杂硅基发光材料与器件第25-26页
     ·缺陷中心发光第26-27页
     ·Si-Ge 应变体系第27-29页
   ·硅能带结构的第一性原理模拟第29-32页
     ·计算机模拟与材料科学第29-30页
     ·硅基能带计算实例第30-32页
   ·论文的主要内容与贡献第32-34页
第2章 实验方法与理论计算第34-42页
   ·本章引论第34页
   ·制备方法第34-36页
     ·Ag 催化腐蚀制备多孔硅纳米线第34-35页
     ·多孔硅纳米线的硒化处理第35-36页
   ·分析方法第36-37页
     ·扫描电子显微镜第36页
     ·透射电子显微镜第36页
     ·X 射线光电子能谱第36页
     ·傅里叶变换红外光谱第36-37页
     ·光吸收谱第37页
     ·光致发光谱第37页
   ·计算方法简述第37-42页
     ·密度泛函理论第37-39页
     ·计算软件包第39-40页
     ·能带计算第40页
     ·电子态密度第40-41页
     ·光学跃迁矩阵元第41-42页
第3章 网络硅的表面钝化第42-61页
   ·本章引论第42-43页
   ·氧钝化网络硅的能带结构第43-50页
     ·计算方法第43-44页
     ·氧钝化网络硅的能带结构第44-50页
   ·H、O、N 表面钝化对网络硅能带结构的改性第50-57页
     ·计算方法第50-52页
     ·不同钝化网络硅的能带结构第52-54页
     ·不同钝化网络硅的光学性能第54-55页
     ·表面钝化网络硅的电子态密度第55-57页
   ·硅纳米线的表面钝化第57-59页
   ·本章小结第59-61页
第4章 超薄硅薄膜的能带结构第61-74页
   ·本章引论第61页
   ·计算方法第61-64页
   ·超薄硅薄膜的电子能带与态密度第64-72页
     ·超薄硅薄膜的能带结构和态密度第64-69页
     ·超薄硅薄膜的能带转变机制第69-72页
   ·超薄硅薄膜的光学性能第72页
   ·本章小结第72-74页
第5章 多孔硅纳米线阵列的制备与发光性能第74-94页
   ·本章引论第74-75页
   ·多孔硅纳米线的制备与形貌表征第75-80页
   ·多孔硅纳米线的形成机制第80-83页
   ·多孔硅纳米线的光致发光性能第83-92页
     ·不同参数多孔硅纳米线的 PL 谱第83-85页
     ·多孔硅纳米线的发光机制第85-92页
   ·本章小结第92-94页
第6章 多孔硅纳米线的硒化第94-104页
   ·本章引论第94页
   ·硒化多孔硅纳米线的制备与形貌第94-95页
   ·硒化多孔硅纳米线的稳态发光第95-99页
   ·硒化多孔硅纳米线的瞬态发光第99-102页
   ·硒化多孔硅纳米线的缺陷发光第102页
   ·本章小结第102-104页
第7章 Core-shell 结构硅纳米线阵列的制备第104-117页
   ·本章引论第104-105页
   ·实验方案第105-107页
   ·Core-shell 结构硅纳米线阵列的制备第107-116页
     ·PS 小球模板的排布第107页
     ·PS 小球的反应离子刻蚀第107-108页
     ·Ag 膜的沉积第108-109页
     ·PS 小球模板的去除第109-111页
     ·硅纳米线阵列的制备第111-112页
     ·干法氧化第112-115页
     ·氧化自饱和第115-116页
   ·本章小结第116-117页
第8章 结论第117-119页
参考文献第119-131页
致谢第131-133页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第133-134页

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