| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·紫外探测器的研究现状 | 第11-16页 |
| ·GaN基MSM结构紫外探测器研究现状 | 第11-14页 |
| ·ZnO薄膜MSM结构紫外探测器研究现状 | 第14-16页 |
| ·论文研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 MSM结构紫外探测器制备设备、工艺和测试系统 | 第17-30页 |
| ·MSM结构紫外探测器制备设备 | 第17-22页 |
| ·光刻设备系统 | 第17-18页 |
| ·电子束蒸发系统 | 第18-19页 |
| ·磁控溅射系统 | 第19-20页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积系统 | 第20-21页 |
| ·电感耦合等离子体刻蚀系统 | 第21-22页 |
| ·MSM结构紫外探测器制备工艺流程 | 第22-25页 |
| ·光刻工艺及其优化 | 第23-24页 |
| ·金属薄膜电极制备 | 第24页 |
| ·电极剥离工艺 | 第24-25页 |
| ·电极引线封装 | 第25页 |
| ·MSM结构紫外探测器测试系统 | 第25-28页 |
| ·电学测试系统 | 第26-27页 |
| ·探测器综合光电测试系统 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-30页 |
| 第三章 GaN/AlGaN基MSM结构紫外探测器 | 第30-43页 |
| ·GaN/AlGaN基MSM结构紫外探测器器件制备 | 第30-31页 |
| ·GaN/AlGaN基MSM结构紫外探测器性能测试 | 第31-37页 |
| ·GaN/AlGaN基MSM结构紫外探测器Ⅰ-Ⅴ特性 | 第31-32页 |
| ·GaN/AlGaN基MSM结构紫外探测器光谱响应特性 | 第32-34页 |
| ·斩波器调制频率对GaN/AlGaN紫外探测器光谱响应特性的影响 | 第34-35页 |
| ·偏压对GaN/AlGaN紫外探测器光谱响应特性的影响 | 第35-37页 |
| ·低温状态GaN/AlGaN基MSM结构紫外探测器光谱响应特性 | 第37-41页 |
| ·温度20K偏压对GaN/AlGaN紫外探测器光谱响应特性的影响 | 第37-39页 |
| ·低温对GaN/AlGaN紫外探测器光谱响应特性的影响 | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 ZnO：Ga薄膜MSM结构紫外探测器 | 第43-60页 |
| ·ZnO：Ga薄膜MSM结构紫外探测器器件制备 | 第43-45页 |
| ·ZnO：Ga薄膜的制备 | 第43页 |
| ·ZnO：Ga薄膜光学特性分析 | 第43-44页 |
| ·ZnO：Ga薄膜MSM结构紫外探测器的制备 | 第44-45页 |
| ·ZnO：Ga薄膜MSM结构紫外探测器Ⅰ-Ⅴ特性及退火处理 | 第45-46页 |
| ·ZnO：Ga薄膜MSM结构紫外探测器Ⅰ-Ⅴ特性 | 第45页 |
| ·ZnO：Ga薄膜MSM结构紫外探测器退火处理 | 第45-46页 |
| ·500℃退火对ZnO：Ga薄膜MSM结构紫外探测器特性的影响 | 第46-49页 |
| ·500℃退火ZnO：Ga薄膜MSM结构紫外探测器Ⅰ-Ⅴ特性 | 第46-47页 |
| ·500℃退火ZnO：Ga薄膜MSM结构紫外探测器光谱响应特性 | 第47-49页 |
| ·偏压对500℃退火ZnO：Ga薄膜紫外探测器光谱响应特性的影响 | 第49页 |
| ·700℃退火对ZnO：Ga薄膜MSM结构紫外探测器特性的影响 | 第49-53页 |
| ·700℃退火ZnO：Ga薄膜MSM结构紫外探测器Ⅰ-Ⅴ特性 | 第49-50页 |
| ·700℃退火ZnO：Ga薄膜MSM结构紫外探测器光谱响应特性 | 第50-52页 |
| ·偏压对700℃退火ZnO：Ga薄膜紫外探测器光谱响应特性的影响 | 第52页 |
| ·斩波器调制频率对700℃退火紫外探测器光谱响应特性的影响 | 第52-53页 |
| ·900℃退火对ZnO：Ga薄膜MSM结构紫外探测器特性的影响 | 第53-59页 |
| ·900℃退火ZnO：Ga薄膜MSM结构紫外探测器Ⅰ-Ⅴ特性 | 第53-54页 |
| ·900℃退火ZnO：Ga薄膜MSM结构紫外探测器光谱响应特性 | 第54-56页 |
| ·偏压对900℃退火ZnO：Ga薄膜紫外探测器光谱响应特性的影响 | 第56-57页 |
| ·斩波器调制频率对900℃退火紫外探测器光谱响应特性的影响 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 总结与展望 | 第60-63页 |
| ·总结 | 第60-61页 |
| ·展望 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第69页 |
