音频芯片ESD保护结构的设计与实现
摘要 | 第1-6页 |
ABSTRACT | 第6-8页 |
第一章 绪论 | 第8-13页 |
·静电放电现象及产生 | 第8-10页 |
·集成电路 ESD 保护方式的发展历史 | 第10-11页 |
·本文主要工作 | 第11-12页 |
·本论文的结构安排 | 第12页 |
·本章小结 | 第12-13页 |
第二章 集成电路静电放电基础知识分析 | 第13-35页 |
·放电的主要形式 | 第13-15页 |
·静电放电的破坏主要类型 | 第15-17页 |
·ESD 的基本测试方法 | 第17-22页 |
·静电放电电路的性能评价方式 | 第22-26页 |
·本论文使用的器件在 ESD 条件下的物理特点 | 第26-33页 |
·静电放电一般的保护方式 | 第33-34页 |
·本章小结 | 第34-35页 |
第三章 本论文研究和使用的新型 ESD 保护结构 | 第35-73页 |
·介绍音频芯片的基本特点 | 第35-40页 |
·简化的音频芯片 GGMOS 保护电路 | 第40-49页 |
·可仿真带加速功能的全芯片 ESD 保护结构 | 第49-61页 |
·版图设计和优化分析 | 第61-68页 |
·测试结果 | 第68-71页 |
·本章小结 | 第71-73页 |
第四章 结论 | 第73-75页 |
·本文的主要贡献 | 第73页 |
·下一步工作的展望 | 第73-75页 |
致谢 | 第75-76页 |
参考文献 | 第76-77页 |
攻硕期间取得的研究成果 | 第77-78页 |