| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 图表清单 | 第10-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-23页 |
| ·引言 | 第14-15页 |
| ·纳米晶硅薄膜简介及研究现状 | 第15-18页 |
| ·纳米晶硅薄膜的制备方法 | 第18-21页 |
| ·物理气相沉积 | 第18-20页 |
| ·化学气相沉积 | 第20-21页 |
| ·本文研究内容及意义 | 第21-23页 |
| 第二章 薄膜的热丝 CVD 法制备与表征 | 第23-45页 |
| ·热丝 CVD 法介绍 | 第23-24页 |
| ·p 型 nc-Si:H 薄膜的热丝法沉积原理 | 第24-32页 |
| ·SiH_4的分解、输运和沉积机制 | 第24-28页 |
| ·B_2H_6的分解、输运和沉积机制 | 第28-29页 |
| ·nc-Si:H 薄膜的生长模型介绍 | 第29-32页 |
| ·实验设备 | 第32-35页 |
| ·热丝化学气相沉积系统 | 第32-33页 |
| ·磁控溅射仪 | 第33-34页 |
| ·真空管式退火炉 | 第34-35页 |
| ·实验材料 | 第35页 |
| ·实验方法 | 第35-36页 |
| ·衬底清洗 | 第35-36页 |
| ·薄膜制备 | 第36页 |
| ·接触电极制备 | 第36页 |
| ·表征方法及原理 | 第36-45页 |
| ·台阶仪 | 第37页 |
| ·拉曼(Raman)光谱测试仪 | 第37-38页 |
| ·紫外可见分光光度计 | 第38-40页 |
| ·四探针方阻测试仪 | 第40-41页 |
| ·霍尔效应测试仪 | 第41-43页 |
| ·变温电导测试仪 | 第43-45页 |
| 第三章 灯丝温度对 p 型 nc-Si:H 薄膜微结构及光电性能的影响 | 第45-52页 |
| ·灯丝温度对薄膜微结构的影响 | 第45-47页 |
| ·灯丝温度对薄膜光学性能的影响 | 第47-48页 |
| ·灯丝温度对薄膜电学性能的影响 | 第48-51页 |
| ·霍尔效应测试分析 | 第48-50页 |
| ·变温电导测试分析 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 掺杂比例对 p 型 nc-Si:H 薄膜微结构及光电性能的影响 | 第52-59页 |
| ·掺杂比例对薄膜微结构的影响 | 第52-54页 |
| ·掺杂比例对薄膜光学性能的影响 | 第54-56页 |
| ·掺杂比例对薄膜电学性能的影响 | 第56-58页 |
| ·霍尔效应测试分析 | 第56-57页 |
| ·变温电导测试分析 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 氢稀释比对 p 型 nc-Si:H 薄膜微结构及光电性能的影响 | 第59-66页 |
| ·氢稀释比对薄膜微结构的影响 | 第59-61页 |
| ·氢稀释比对薄膜光学性能的影响 | 第61-62页 |
| ·氢稀释比对薄膜电学性能的影响 | 第62-65页 |
| ·霍尔效应测试分析 | 第62-63页 |
| ·变温电导测试分析 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第六章 沉积气压对 p 型 nc-Si:H 薄膜微结构及光电性能的影响 | 第66-73页 |
| ·沉积气压对薄膜微结构的影响 | 第66-68页 |
| ·沉积气压对薄膜光学性能的影响 | 第68-69页 |
| ·沉积气压对薄膜电学性能的影响 | 第69-72页 |
| ·霍尔效应测试分析 | 第69-71页 |
| ·变温电导测试分析 | 第71-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 第七章 结论与展望 | 第73-75页 |
| ·结论 | 第73-74页 |
| ·展望 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第82页 |
| 在学期间参加的科研项目 | 第82页 |
