基于数据保持电压的低功耗SRAM设计
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·研究背景及意义 | 第9-10页 |
| ·SRAM 概述 | 第10-13页 |
| ·SRAM 结构 | 第10-11页 |
| ·SRAM 存储单元操作 | 第11-13页 |
| ·SRAM 功耗 | 第13页 |
| ·论文主要工作 | 第13-14页 |
| ·论文章节安排 | 第14-15页 |
| 第二章 低功耗SRAM 设计方案 | 第15-25页 |
| ·漏电流分布 | 第15-17页 |
| ·亚阈值漏电流 | 第15-16页 |
| ·栅漏电流 | 第16-17页 |
| ·结漏电流 | 第17页 |
| ·低功耗SRAM 设计方案 | 第17-22页 |
| ·衬底偏压结构 | 第18-19页 |
| ·源极偏压结构 | 第19-20页 |
| ·双电源电压结构 | 第20-21页 |
| ·字线电压反偏结构 | 第21页 |
| ·位线电压浮动结构 | 第21-22页 |
| ·仿真数据对比分析 | 第22-23页 |
| ·小结 | 第23-25页 |
| 第三章 基于DRV 的低功耗SRAM 设计 | 第25-48页 |
| ·保持数据失效机制 | 第25-26页 |
| ·数据保持电压(DRV) | 第26-29页 |
| ·衬底电压对DRV 的影响 | 第27-28页 |
| ·源极电压对DRV 的影响 | 第28页 |
| ·DRV 分布 | 第28-29页 |
| ·用于监测DRV 的反馈系统 | 第29-41页 |
| ·整体结构 | 第29-30页 |
| ·模拟存储单元与多数表决器 | 第30-31页 |
| ·端点电压控制选项 | 第31-33页 |
| ·电压转换电路 | 第33-38页 |
| ·上电启动电路 | 第38-40页 |
| ·电路原理总结 | 第40-41页 |
| ·DRV 反馈系统的应用 | 第41-46页 |
| ·SRAM 结构划分 | 第42-43页 |
| ·电压选择电路 | 第43-45页 |
| ·外围电路 | 第45-46页 |
| ·小结 | 第46-48页 |
| 第四章 系统仿真及结果分析 | 第48-55页 |
| ·仿真流程及工具环境 | 第48页 |
| ·仿真结果分析 | 第48-52页 |
| ·漏电流 | 第50-51页 |
| ·动态功耗 | 第51页 |
| ·读写性能 | 第51-52页 |
| ·版图设计 | 第52-54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| 第五章 总结与展望 | 第55-57页 |
| ·总结 | 第55页 |
| ·展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
