深亚微米SRAM存储单元稳定性研究

中文摘要	第1-6页
Abstract	第6-10页
第一章 绪论	第10-16页
·静态随机存储器（SRAM）及其稳定性概述	第10-13页
·研究背景及意义	第13-14页
·论文主要工作	第14-15页
·章节安排	第15-16页
第二章 静态随机存储器稳定性分析基础	第16-29页
·静态噪声容限（SNM）	第16-22页
·SNM 的推导分析	第18-20页
·SNM 仿真方法	第20-22页
·N 型曲线法分析SRAM 单元稳定性	第22-27页
·SRAM 存储单元读能力分析	第23-25页
·SRAM 存储单元写能力分析	第25-26页
·N 型曲线法相关单元参量	第26-27页
·阿尔法粒子注入下SRAM 的可靠性分析	第27-28页
·小结	第28-29页
第三章 阿尔法粒子注入下SRAM 可靠性模型	第29-35页
·关键电荷(CRITICAL CHARGE)分析	第29-30页
·可靠性模型	第30-33页
·反相器模型	第31页
·存储单元模型	第31-32页
·电流源模型	第32-33页
·小结	第33-35页
第四章 仿真结果及分析	第35-47页
·N 型曲线法判断SRAM 单元稳定性	第35-41页
·阿尔法粒子注入下SRAM 单元稳定性	第41-44页
·N 型曲线法分析α粒子注入时的单元稳定性	第44-45页
·小结	第45-47页
第五章 总结与展望	第47-49页
·总结	第47-48页
·展望	第48-49页
参考文献	第49-53页
攻读硕士学位期间发表的论文	第53-54页
致谢	第54-55页