| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-12页 |
| ·课题的研究背景 | 第7页 |
| ·X光透视成像技术的国内外发展现状 | 第7-9页 |
| ·本文的主要研究内容及意义 | 第9-12页 |
| 第二章 X光透视成像原理 | 第12-24页 |
| ·常用辐射物理量 | 第12-13页 |
| ·高能X射线 | 第13-16页 |
| ·高能X射线的特点 | 第14-15页 |
| ·射线与物质的相互作用 | 第15-16页 |
| ·常用X光透视成像技术 | 第16-21页 |
| ·X光胶片摄影技术 | 第16-17页 |
| ·CR技术 | 第17页 |
| ·DR技术 | 第17-18页 |
| ·转换屏耦合CCD技术 | 第18-21页 |
| ·X光成像系统的图像参数 | 第21-24页 |
| ·对比度 | 第21页 |
| ·不清晰度 | 第21-23页 |
| ·空间分辨率 | 第23-24页 |
| 第三章 CCD器件选择与成像电路 | 第24-43页 |
| ·CCD的工作原理 | 第24-30页 |
| ·电荷的注入 | 第25-26页 |
| ·电荷的存储 | 第26-27页 |
| ·电荷的耦合(转移) | 第27-29页 |
| ·电荷的检测(读出) | 第29-30页 |
| ·CCD的分类 | 第30-31页 |
| ·CCD器件的选择 | 第31-34页 |
| ·器件选取原则 | 第31-32页 |
| ·CCD的选型 | 第32-33页 |
| ·电路组成芯片介绍 | 第33-34页 |
| ·CCD成像电路设计 | 第34-43页 |
| ·原理图 | 第34-38页 |
| ·PCB设计 | 第38-41页 |
| ·电路测试 | 第41-43页 |
| 第四章 实验与图像数据 | 第43-64页 |
| ·实验系统 | 第43-46页 |
| ·系统设计 | 第43-45页 |
| ·系统参数 | 第45-46页 |
| ·定性探测实验 | 第46-54页 |
| ·X射线的衰减规律 | 第46-49页 |
| ·定性探测图像 | 第49-54页 |
| ·定量实验及其数据分析 | 第54-64页 |
| ·CCD直接探测X光的图像 | 第54-58页 |
| ·CCD的暗图像 | 第58-60页 |
| ·CCD在X光下的直接透视图像 | 第60-63页 |
| ·辐射损伤问题 | 第63-64页 |
| 第五章 总结与展望 | 第64-73页 |
| ·本文总结 | 第64-65页 |
| ·CCD的关键制作工艺 | 第65-67页 |
| ·氧化 | 第65-66页 |
| ·光刻 | 第66-67页 |
| ·离子注入 | 第67页 |
| ·CCD射线探测技术的优化 | 第67-71页 |
| ·提高读出速率 | 第68-70页 |
| ·二阶(2-phase)和三阶(3-phase) CCD的选择 | 第70页 |
| ·增加耗尽层深度 | 第70-71页 |
| ·射线探测技术展望 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-77页 |
| 附录 研究生期间发表论文情况 | 第77页 |