首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--场效应器件论文--金属-氧化物-半导体(MOS)器件论文

单电子晶体管和MOS管的混合电路设计与仿真

摘要第1-6页
Abstract第6-7页
第一章 引言第7-13页
   ·微电子技术的现状与发展第7-8页
   ·传统集成电路进一步发展将会遇到的问题第8-9页
   ·可能的解决方案第9-11页
   ·本文的主要内容第11-13页
第二章 单电子学简介第13-35页
   ·单电子学基础第13-21页
     ·单电子基本概念与库仑阻塞效应第13-16页
     ·半经典理论和单电子隧穿率Γ第16-21页
   ·几种简单的单电子器件第21-27页
   ·单电子器件的应用第27-35页
     ·单电子器件在模拟电路中的应用第27-30页
     ·单电子器件在数字电路中的应用第30-35页
第三章 单电子器件和电路的仿真方法第35-38页
   ·主方程法第35-36页
   ·蒙特卡罗法第36-38页
第四章 混合单电子晶体管和MOS管模数转换器第38-50页
   ·混合单电子和MOS ADC电路结构第38-40页
   ·基本模数转换单元第40页
   ·工作原理第40-41页
   ·模型与仿真第41-43页
   ·仿真结果和讨论第43-45页
   ·流水线结构第45-48页
   ·小结第48-50页
第五章 混合单电子晶体管和MOS管数模转换器第50-57页
   ·混合单电子晶体管和MOS管组成的DAC电路第50-52页
   ·模型与仿真第52页
   ·仿真结果和讨论第52-56页
   ·小结第56-57页
第六章 结论第57-59页
参考文献第59-63页
致谢第63页

论文共63页,点击 下载论文
上一篇:金融自由化与我国公司融资约束的实证研究
下一篇:我国商业银行市场结构和产权结构的改革思路探讨