| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| ·砷化镓和硅半导体材料 | 第11-13页 |
| ·砷化镓和硅材料概述 | 第11-12页 |
| ·砷化镓和硅材料应用 | 第12-13页 |
| ·富勒烯分子简介 | 第13-17页 |
| ·引言 | 第13-14页 |
| ·富勒烯的结构特征 | 第14-15页 |
| ·富勒烯的性能及应用 | 第15-17页 |
| ·砷化镓和硅表面沉积膜材料的研究现状 | 第17-19页 |
| ·本文的研究目的及内容 | 第19-21页 |
| 第二章 计算参数选择与模型优化计算 | 第21-36页 |
| ·密度泛函理论 | 第21-27页 |
| ·引言 | 第21-22页 |
| ·密度泛函理论基础 | 第22-27页 |
| ·计算方法简介 | 第27-29页 |
| ·SIESTA的主要计算参数 | 第27-28页 |
| ·SIESTA的输入文件 | 第28-29页 |
| ·计算参数选择与设定 | 第29-31页 |
| ·k点的选择 | 第29-30页 |
| ·基组的选择 | 第30页 |
| ·截断能的选择 | 第30-31页 |
| ·模型优化及计算分析 | 第31-36页 |
| ·物理模型 | 第31-33页 |
| ·模型优化计算 | 第33-34页 |
| ·吸附能计算 | 第34页 |
| ·电荷转移计算 | 第34页 |
| ·电子能态密度分布 | 第34-36页 |
| 第三章 富勒烯在GaAs(001)表面吸附的密度泛函理论研究 | 第36-56页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·C_(28)在GaAs(001)表面的吸附研究 | 第36-45页 |
| ·GaAs(001)-c(4x4)表面吸附位分类 | 第36-37页 |
| ·富勒烯取向分类 | 第37页 |
| ·吸附构型优化计算 | 第37-38页 |
| ·结果与讨论 | 第38-45页 |
| ·C_n(n=32，36，40，44，48，60)在GaAs(001)表面的吸附研究 | 第45-55页 |
| ·引言 | 第45-46页 |
| ·富勒烯的结构和能量分析 | 第46-47页 |
| ·吸附结构分析 | 第47-51页 |
| ·成键分析 | 第51-53页 |
| ·电子结构分析 | 第53-54页 |
| ·富勒烯同分异构体的影响 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 C_(60)在Si(001)表面吸附的密度泛函理论研究 | 第56-62页 |
| ·引言 | 第56页 |
| ·Si(001)-c(2x1)表面吸附位分类 | 第56-57页 |
| ·吸附构型优化计算 | 第57页 |
| ·结果与讨论 | 第57-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 结论 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-73页 |
