| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-28页 |
| ·宽带隙半导体材料 | 第9-18页 |
| ·几种常见的宽带隙半导体 | 第11-12页 |
| ·SiC材料与器件研究进展 | 第12-17页 |
| ·宽带隙材料在场发射中的应用 | 第17-18页 |
| ·高介电常数材料(高κ材料) | 第18-26页 |
| ·高κ材料必须满足的条件 | 第19-21页 |
| ·高κ材料研究进展 | 第21-24页 |
| ·ZrO_2和HfO_2高κ材料 | 第24-26页 |
| ·本论文的工作 | 第26-28页 |
| 第二章 SiC／Si异质结构的离子束制备及结构表征 | 第28-47页 |
| ·大束流CH_4等离子体注入工艺 | 第28-39页 |
| ·大束流离子注入机的结构及工作原理 | 第28-30页 |
| ·SiC／Si异质结构的制备 | 第30-31页 |
| ·SiC／Si异质结构的表面分析与结构表征 | 第31-38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| ·线扫描式碳离子注入工艺 | 第39-46页 |
| ·SiC／Si异质结构的制备 | 第39-40页 |
| ·SiC／Si异质结构的表面分析与结构表征 | 第40-45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第三章 SiC／Si异质结构的电子场发射性能研究 | 第47-61页 |
| ·电子场发射的基本原理及测试系统简介 | 第47-50页 |
| ·SiC／Si异质结构的电子场发射性能研究 | 第50-60页 |
| ·电子场发射性能测试 | 第50-54页 |
| ·注入参数对场发射性能的影响 | 第54-58页 |
| ·高温退火对场发射性能的影响 | 第58-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第四章 HfO_2高κ薄膜制备及其电学性能研究 | 第61-97页 |
| ·多功能沉积系统的结构及工作原理 | 第61-63页 |
| ·单晶硅衬底上的氧化铪薄膜 | 第63-81页 |
| ·单晶硅衬底上氧化铪薄膜的制备 | 第63-65页 |
| ·单晶硅衬底上氧化铪薄膜的结构表征 | 第65-74页 |
| ·单晶硅衬底上氧化铪薄膜的电学性能研究 | 第74-81页 |
| ·小结 | 第81页 |
| ·SOI衬底上的氧化铪薄膜 | 第81-88页 |
| ·SOI衬底上氧化铪薄膜的制备 | 第81-82页 |
| ·SOI衬底上氧化铪薄膜的结构表征 | 第82-84页 |
| ·SOI衬底上氧化铪薄膜的电学性能研究 | 第84-88页 |
| ·小结 | 第88页 |
| ·氮离子束增强沉积氧化铪薄膜 | 第88-96页 |
| ·氮离子束增强沉积氧化铪薄膜的制备 | 第88-89页 |
| ·氮离子束增强沉积氧化铪薄膜的结构表征 | 第89-94页 |
| ·氮离子束增强沉积氧化铪薄膜的电学性能研究 | 第94页 |
| ·小结 | 第94-96页 |
| ·本章小结 | 第96-97页 |
| 第五章 结论 | 第97-99页 |
| 参考文献 | 第99-104页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文目录 | 第104-105页 |
| 致谢 | 第105-106页 |
| 作者简历 | 第106-107页 |
| 学位论文独创性声明 | 第107页 |
| 学位论文使用授权声明 | 第107页 |