| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 主要符号对照表 | 第9-10页 |
| 第1 章 引言 | 第10-13页 |
| ·课题目的和意义 | 第10-12页 |
| ·本论文的主要研究工作和内容安排 | 第12-13页 |
| 第2 章 器件模型回顾 | 第13-21页 |
| ·漂移扩散(Drift-Diffusion)模型 | 第13-15页 |
| ·泊松方程 | 第13-14页 |
| ·电流密度表达式 | 第14-15页 |
| ·连续性方程 | 第15页 |
| ·Thermodynamic 和Hydrodynamic 模型 | 第15-17页 |
| ·量子输运模型介绍 | 第17-21页 |
| ·Transmission Coefficient 模型 | 第17页 |
| ·Nonequilibrium Quantum Transport 模型 | 第17-21页 |
| 第3 章 二维薛定谔方程求解的QTBM 方法 | 第21-32页 |
| ·二维薛定谔方程求解区域和边界条件 | 第21-22页 |
| ·引线内波函数的定解 | 第22-24页 |
| ·开放边界条件的确定 | 第24-26页 |
| ·有限元法和方程离散化 | 第26-32页 |
| 第4 章 自洽求解的QDAME 方法 | 第32-60页 |
| ·器件的驻波和本征能级 | 第32-35页 |
| ·驻波分解成行波 | 第35-38页 |
| ·态密度的计算和漂移波矢 | 第38-41页 |
| ·器件引线中的一维泊松方程和薛定谔方程自洽求解 | 第41-49页 |
| ·二维自洽求解 | 第49-50页 |
| ·非线性方程组的牛顿迭代法和 Broyden 算法 | 第50-60页 |
| 第5 章 二维 DG MOSFET 模拟 | 第60-71页 |
| ·DG MOSFET 结构和模拟设置 | 第60-61页 |
| ·模拟结果和分析 | 第61-67页 |
| ·阈值电压和浅掺杂区 | 第67-71页 |
| 结论 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-74页 |
