光学镜面离子束加工材料去除机理与基本工艺研究
| 摘要 | 第1-14页 |
| ABSTRACT | 第14-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-33页 |
| ·课题的来源及意义 | 第16-19页 |
| ·课题的来源 | 第16页 |
| ·课题研究的背景和意义 | 第16-19页 |
| ·国内外研究现状 | 第19-31页 |
| ·离子溅射理论综述 | 第19-21页 |
| ·离子束修形技术综述 | 第21-27页 |
| ·表面粗糙度演变综述 | 第27-29页 |
| ·微观表面形貌演变综述 | 第29-31页 |
| ·论文的主要研究内容 | 第31-33页 |
| 第二章 KDIFS-500系统设计 | 第33-46页 |
| ·CCOS 成型原理 | 第33-35页 |
| ·CCOS 成型原理的提出 | 第33-34页 |
| ·CCOS 成型原理一般化描述 | 第34-35页 |
| ·KDIFS-500 加工系统设计 | 第35-37页 |
| ·KDIFS-500 系统后置算法 | 第37-45页 |
| ·系统建模 | 第37-39页 |
| ·后置算法和误差分析 | 第39-42页 |
| ·误差补偿 | 第42-45页 |
| ·极坐标扫描方式后置算法 | 第45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第三章 离子束加工材料去除机理和特征 | 第46-63页 |
| ·离子溅射理论 | 第46-49页 |
| ·离子溅射过程描述 | 第46-48页 |
| ·Sigmund 溅射理论 | 第48-49页 |
| ·溅射过程的数值仿真 | 第49页 |
| ·材料去除效率 | 第49-57页 |
| ·理论分析 | 第49-52页 |
| ·仿真分析 | 第52-53页 |
| ·实验研究 | 第53-56页 |
| ·去除效率小结 | 第56-57页 |
| ·材料扰动层分析 | 第57-59页 |
| ·理论分析 | 第57页 |
| ·仿真研究 | 第57-59页 |
| ·热效应分析 | 第59-62页 |
| ·仿真分析 | 第59-60页 |
| ·实验研究 | 第60-62页 |
| ·热效应研究小结 | 第62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第四章 去除函数多参数建模与实验研究 | 第63-81页 |
| ·去除函数理论建模 | 第63-71页 |
| ·法向去除率普遍形式 | 第63-65页 |
| ·理论模型 | 第65-70页 |
| ·表面粗糙度影响分析 | 第70-71页 |
| ·去除函数特征分析 | 第71-73页 |
| ·去除函数相似性 | 第72页 |
| ·入射角度鲁棒性 | 第72页 |
| ·时间关系 | 第72-73页 |
| ·束流特性 | 第73页 |
| ·束能鲁棒性 | 第73页 |
| ·去除函数特征实验研究 | 第73-77页 |
| ·实验方法 | 第73-74页 |
| ·短时重复性 | 第74页 |
| ·去除函数相似性 | 第74-75页 |
| ·入射角度鲁棒性 | 第75页 |
| ·时间关系 | 第75-76页 |
| ·束流关系 | 第76-77页 |
| ·束能鲁棒性 | 第77页 |
| ·去除函数其它特性实验研究 | 第77-79页 |
| ·屏栅电流大范围调节 | 第77-78页 |
| ·屏栅电压大范围调节 | 第78页 |
| ·与靶距的关系 | 第78-79页 |
| ·本章小结 | 第79-81页 |
| 第五章 离子束作用下表面粗糙度演变实验研究 | 第81-89页 |
| ·表面粗糙度演变实验设计 | 第81-83页 |
| ·束能对表面粗糙度的影响 | 第83-84页 |
| ·微晶玻璃 | 第83页 |
| ·石英玻璃 | 第83-84页 |
| ·去除深度对表面粗糙度的影响 | 第84-86页 |
| ·微晶玻璃 | 第84页 |
| ·石英玻璃 | 第84-85页 |
| ·CVD SiC 材料 | 第85-86页 |
| ·表面粗糙度演变讨论 | 第86-88页 |
| ·本章小结 | 第88-89页 |
| 第六章 面形误差离子束修正技术 | 第89-111页 |
| ·成型过程理论分析 | 第90-96页 |
| ·成型过程的双级数模型 | 第90-91页 |
| ·去除函数扰动对成型的影响 | 第91-93页 |
| ·定位精度影响 | 第93-94页 |
| ·采样间隔影响 | 第94-96页 |
| ·面形误差全口径线性扫描方式修正技术 | 第96-103页 |
| ·面形控制算法 | 第96-97页 |
| ·驻留时间实现与求解优化 | 第97-100页 |
| ·低陡度曲面路径规划 | 第100-103页 |
| ·面形误差极轴扫描方式修正技术 | 第103-105页 |
| ·工艺过程模型 | 第103-104页 |
| ·驻留时间求解与实现 | 第104-105页 |
| ·面形误差区域拼接方式修正技术 | 第105-109页 |
| ·过程模型 | 第106-107页 |
| ·驻留时间算法 | 第107-108页 |
| ·参数辨识 | 第108-109页 |
| ·本章小结 | 第109-111页 |
| 第七章 离子束修形基本工艺方法实验研究 | 第111-124页 |
| ·离子束修形实验设计 | 第111-112页 |
| ·平面修形工艺实验 | 第112-115页 |
| ·微晶平面修形实验 | 第112-113页 |
| ·CVD SiC 平面修形实验 | 第113-115页 |
| ·曲面修形实验 | 第115-118页 |
| ·Φ200 球面修形实验一 | 第115-116页 |
| ·Φ200 球面修形实验二 | 第116-118页 |
| ·抛物面修形实验 | 第118页 |
| ·极轴方式修形实验 | 第118-121页 |
| ·微晶平面修形实验 | 第118-120页 |
| ·抛物面修形实验 | 第120-121页 |
| ·拼接方式修形实验 | 第121-123页 |
| ·工艺参数辨识 | 第121-122页 |
| ·拼接加工 | 第122-123页 |
| ·本章小结 | 第123-124页 |
| 第八章 结论与展望 | 第124-128页 |
| ·全文总结 | 第124-125页 |
| ·研究展望 | 第125-128页 |
| 致谢 | 第128-129页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第129-130页 |
| 参考文献表 | 第130-137页 |
| 附录 | 第137-144页 |
| 附录A：两维Hermite 级数 | 第137-139页 |
| 附录B：两维 Fouier 级数 | 第139-141页 |
| 附录C：驻留时间双级数模型求解 | 第141-143页 |
| 附录D：驻留时间双级数模型求解误差分析 | 第143-144页 |
