| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-16页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·WO_3材料的概述 | 第10-11页 |
| ·WO_3纳米材料气敏性能的研究 | 第11-14页 |
| ·本文的立题依据、研究内容和目的 | 第14-16页 |
| ·立题依据 | 第14页 |
| ·研究目的 | 第14-15页 |
| ·研究内容与创新点 | 第15-16页 |
| 2 WO_3以及 Sn 掺杂 WO_3薄膜的制备 | 第16-28页 |
| ·WO_3薄膜的制备技术 | 第17-23页 |
| ·水热法 | 第17页 |
| ·溶胶凝胶法 | 第17-18页 |
| ·电沉积法 | 第18页 |
| ·化学气相沉积法 | 第18页 |
| ·磁控溅射法 | 第18-23页 |
| ·WO_3薄膜以及 Sn 掺杂 WO_3薄膜的制备 | 第23-27页 |
| ·基片的准备流程 | 第23-24页 |
| ·薄膜的沉积 | 第24-27页 |
| ·小结 | 第27-28页 |
| 3 WO_3以及 Sn 掺杂 WO_3薄膜材料的表征 | 第28-38页 |
| ·薄膜厚度的测定 | 第28-30页 |
| ·薄膜 XRD 的测定 | 第30-33页 |
| ·不同氧分压 | 第30-31页 |
| ·不同 Sn 溅射功率 | 第31-33页 |
| ·不同退火温度 | 第33页 |
| ·薄膜透射率的测定 | 第33-36页 |
| ·不同氧分压 | 第34-35页 |
| ·不同 Sn 溅射功率 | 第35-36页 |
| ·不同退火温度 | 第36页 |
| ·小结 | 第36-38页 |
| 4 WO_3以及 Sn 掺杂 WO_3薄膜的气敏性能测试与分析 | 第38-57页 |
| ·气敏性能的定义与气敏测试系统的组建 | 第38-42页 |
| ·电阻型气敏传感器的主要参数 | 第38-40页 |
| ·气敏测试系统的组建 | 第40-42页 |
| ·WO_3以及 Sn 掺杂 WO_3薄膜电阻型气敏性测试 | 第42-52页 |
| ·气敏测试流程 | 第42-43页 |
| ·WO_3薄膜电阻与温度的关系 | 第43-45页 |
| ·不同退火温度对气体灵敏度的影响 | 第45-46页 |
| ·不同 Sn 掺杂功率对气体灵敏度的影响 | 第46-47页 |
| ·不同氧分压对气体灵敏度的影响 | 第47-49页 |
| ·不同工作温度对气体灵敏度的影响 | 第49-50页 |
| ·材料对 NO_2气体的响应恢复 | 第50-51页 |
| ·材料对不同气体的选择性 | 第51-52页 |
| ·WO_3和 Sn 掺杂 WO_3薄膜压敏型气敏测试 | 第52-55页 |
| ·WO_3和 Sn 掺杂 WO_3薄膜的压敏特性 | 第52-54页 |
| ·WO_3薄膜压敏型气敏特性 | 第54-55页 |
| ·WO_3纳米材料的气敏机理分析 | 第55-56页 |
| ·小结 | 第56-57页 |
| 5 结论与展望 | 第57-58页 |
| ·主要结论 | 第57页 |
| ·后期展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 附录 A | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
