| 提要 | 第1-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-24页 |
| ·基于一维肖特基势垒的纳米光电子器件的研究 | 第8-13页 |
| ·肖特基二极管整流器的研究 | 第9-10页 |
| ·肖特基势垒场效应晶体管的研究 | 第10-13页 |
| ·半导体纳米线肖特基势垒的研究现状 | 第13-20页 |
| ·势垒的反向不饱和电流 | 第14-17页 |
| ·对势垒高度的调控 | 第17-19页 |
| ·存在的问题 | 第19-20页 |
| ·论文的选题、目标和意义 | 第20-22页 |
| ·论文的主要研究内容 | 第22-24页 |
| 第2章 表面态和势垒结构对纳米线肖特基势垒光电输运特性的影响 | 第24-55页 |
| ·前言 | 第24-25页 |
| ·利用导电探针原子力显微镜研究CuO 纳米线表面态的空间分布特性 | 第25-35页 |
| ·引言 | 第25-26页 |
| ·纳米线的合成与测试方法 | 第26-28页 |
| ·结果与讨论 | 第28-34页 |
| ·结论 | 第34-35页 |
| ·CuO 纳米线背靠背肖特基势垒结构中接触长度比引起的整流特性 | 第35-43页 |
| ·引言 | 第35-36页 |
| ·随机沉积结合AFM 刻蚀构筑单根纳米线器件 | 第36-37页 |
| ·结果与讨论 | 第37-43页 |
| ·结论 | 第43页 |
| ·ZnO 纳米线肖特基势垒光电二极管的不饱和光电流特性 | 第43-52页 |
| ·引言 | 第43-44页 |
| ·电场组装法构筑单根纳米线器件 | 第44-46页 |
| ·结果与讨论 | 第46-52页 |
| ·结论 | 第52页 |
| ·本章小结 | 第52-55页 |
| 第3章 纳米线肖特基势垒输运特性的调控方法探索 | 第55-84页 |
| ·前言 | 第55-56页 |
| ·半导体纳米线三肖特基势垒结构的输运特性研究 | 第56-63页 |
| ·引言 | 第56-57页 |
| ·电子束刻蚀方法构筑纳米线三肖特基势垒结构 | 第57-59页 |
| ·三肖特基势垒结构的输运特性 | 第59-62页 |
| ·结论 | 第62-63页 |
| ·利用AFM 刻蚀在双层电极上构筑金属-半导体异质纳米结构 | 第63-70页 |
| ·引言 | 第63-64页 |
| ·AFM 机械刻蚀的条件探索 | 第64-67页 |
| ·金属－半导体异质结构的构筑 | 第67-70页 |
| ·结论 | 第70页 |
| ·电沉积方法对CuO 纳米线肖特基势垒接触特性的调控 | 第70-78页 |
| ·引言 | 第70-71页 |
| ·实验方法 | 第71-73页 |
| ·结果与讨论 | 第73-77页 |
| ·结论 | 第77-78页 |
| ·局域光照对CuO 纳米线背靠背结构中整流特性的调控 | 第78-82页 |
| ·引言 | 第78页 |
| ·实验方法 | 第78-79页 |
| ·结果与讨论 | 第79-82页 |
| ·结论 | 第82页 |
| ·本章小结 | 第82-84页 |
| 第4章 ZnO 纳米线背靠背肖特基势垒结构中电学开关特性的研究和原型器件的构筑 | 第84-112页 |
| ·前言 | 第84-85页 |
| ·正负电流的电学开关特性 | 第85-91页 |
| ·低导曲线和高导曲线的特征描述 | 第85-88页 |
| ·电学的开关态与电压之间的关系 | 第88-91页 |
| ·开关机理的讨论 | 第91-103页 |
| ·势垒高度变化引起的开关特性 | 第91-93页 |
| ·高导曲线中的电压分配关系 | 第93-98页 |
| ·势垒高度变化的可能机理讨论 | 第98-103页 |
| ·原型器件的构筑 | 第103-111页 |
| ·双向可控肖特基势垒整流器 | 第103-107页 |
| ·三稳态存储器 | 第107-111页 |
| ·本章小结 | 第111-112页 |
| 第5章 总结与展望 | 第112-115页 |
| 参考文献 | 第115-121页 |
| 攻读博士期间发表的论文 | 第121-123页 |
| 致谢 | 第123-125页 |
| 摘要 | 第125-128页 |
| ABSTRACT | 第128-130页 |
