大孔径SI-GaAs光电导天线非线性模式下THz电磁辐射分析
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 简介 | 第8-17页 |
| ·太赫兹电磁波概述 | 第8页 |
| ·太赫兹电磁波的特性 | 第8-9页 |
| ·瞬态性 | 第9页 |
| ·宽带性 | 第9页 |
| ·相干性 | 第9页 |
| ·低能性 | 第9页 |
| ·太赫兹辐射的应用 | 第9-11页 |
| ·天文雷达 | 第9-10页 |
| ·通讯领域 | 第10页 |
| ·生物医学 | 第10-11页 |
| ·探测成像 | 第11页 |
| ·太赫兹发射、传播和探测技术 | 第11-16页 |
| ·THz波的产生 | 第13页 |
| ·THz波的接收探测 | 第13-15页 |
| ·THz波的传输 | 第15-16页 |
| ·本文的主要工作 | 第16-17页 |
| 2 线性及非线性工作模式 | 第17-28页 |
| ·半绝缘砷化稼材料的基本特性 | 第17-20页 |
| ·半绝缘GaAs天线的工作模式 | 第20-25页 |
| ·两种工作模式 | 第20-24页 |
| ·两种工作模式的比较 | 第24-25页 |
| ·非线性工作模式的模型及其理论解释 | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-28页 |
| 3 光电导天线中的载流子动力学 | 第28-41页 |
| ·入射光脉冲 | 第28-31页 |
| ·SI-GaAs的高场特性 | 第31-34页 |
| ·屏蔽效应 | 第34-36页 |
| ·Drude-Lorentz模型 | 第36-38页 |
| ·载流子浓度的变化和加速度对 THz辐射的影响 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 4 非线性模式下THz波产生分析 | 第41-49页 |
| ·THz波产生的实验条件 | 第41-43页 |
| ·非线性模式对于飞秒激光入射光能的要求 | 第43-45页 |
| ·屏蔽效应对非线性模式的影响 | 第45-46页 |
| ·lock-on效应对触发的影响 | 第46-47页 |
| ·屏蔽效应消失后的过程 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 5 结论 | 第49-51页 |
| ·结论 | 第49页 |
| ·下一步工作设想 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 附录 | 第56页 |
