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微波辅助法合成碳化硅一维纳米材料及其性质的研究

内容提要第1-9页
第1章 绪论第9-40页
   ·引言第9-10页
   ·SiC 晶体结构和基本性质第10-18页
     ·SiC 的晶体结构第10-12页
     ·SiC 的物理和化学性质第12-14页
     ·SiC 的光学性质第14-15页
     ·SiC 的电学性质第15-16页
     ·SiC 的磁学性质第16-17页
     ·SiC 的主要应用领域第17-18页
   ·SiC 单晶与SiC 器件的发展历史第18-24页
     ·SiC 单晶发展进展第18-19页
     ·我国SiC 单晶发展进程第19-20页
     ·SiC 单晶液相法合成进展第20-21页
     ·SiC 器件发展进展第21-24页
   ·SiC 一维纳米材料的研究意义和制备进展第24-30页
     ·SiC 一维纳米材料的研究意义第24-25页
     ·SiC 一维纳米材料的研究进展第25-30页
       ·化学气相沉积法第25-26页
       ·模板法第26-27页
       ·溶胶-凝胶法第27-28页
       ·碳热还原法第28-29页
       ·溶剂热法第29页
       ·电弧放电法第29-30页
   ·SiC 一维纳米材料的性质第30-37页
     ·SiC 一维纳米材料的力学、热学等物理性质第30-31页
     ·SiC 一维纳米材料的光学性质第31-32页
     ·SiC 一维纳米材料的电学性质第32-33页
     ·SiC 一维纳米材料的场发射性质第33-35页
       ·场发射的概念第33页
       ·SiC 一维纳米材料的场发射意义第33页
       ·SiC 纳米材料的场发射进展第33-35页
     ·SiC 一维纳米材料的光催化性质第35-36页
     ·SiC 一维纳米材料的机械性能及在复合材料中的应用第36-37页
   ·选题背景和研究内容第37-40页
     ·选题背景和研究意义第37-38页
     ·主要研究内容第38-40页
第2章 实验制备、原理和表征第40-54页
   ·微波加热的性质和原理第40-42页
     ·微波加热的性质第40-41页
     ·微波加热原理第41页
     ·微波实验装置和反应原料第41-42页
   ·SiC 一维纳米材料的生长机理第42-46页
     ·V–L–S 生长机理第42页
     ·S–L–S 生长机理第42-43页
     ·V–S 生长机理第43-44页
     ·SiC 纳米线的生长缺陷第44-46页
   ·场致电子发射理论第46-48页
   ·实验表征第48-54页
     ·X 射线衍射仪第48-49页
     ·扫描电子显微镜和透射电子显微镜第49-50页
     ·拉曼光谱第50-51页
     ·PL 光谱第51-52页
     ·场发射装置第52-54页
第3章 3C–SiC 纳米带的量子限域效应和优异的场发射性能第54-69页
   ·引言第54-55页
   ·实验制备过程第55-56页
   ·3C–SiC 纳米带的晶体结构、形貌和生长机制第56-59页
   ·3C–SiC 纳米带的量子限域效应第59-61页
   ·3C–SiC 纳米带的场发射第61-67页
     ·场致发射相关概念第62-65页
     ·3C–SiC 纳米带的场发射性质第65-67页
   ·小结第67-69页
第4章 6H–SiC 一维纳米材料的合成及其紫外发光性质的研究第69-86页
   ·引言第69-70页
   ·实验制备过程第70-72页
   ·实验结果分析第72-79页
     ·样品结构分析第72页
     ·形貌及微结构分析第72-76页
     ·6H–SiC 一维纳米材料的生长机制第76-79页
   ·6H–SiC 一维纳米材料的光学特性第79-84页
     ·拉曼光谱性质第79-82页
     ·光致发光谱性质第82-84页
   ·小结第84-86页
第5章 SiC-SiO_2纳米链异质结的合成及其光学性质的研究第86-98页
   ·引言第86-88页
   ·SiC 纳米线异质结中SiO_2 的性质第88-89页
   ·实验制备过程第89页
   ·纳米链的形貌及微结构分析第89-94页
   ·纳米链异质结的生长机制第94-95页
   ·纳米链异质结的光学性质第95-96页
   ·小结第96-98页
第6章 结论与展望第98-100页
   ·结论第98-99页
   ·展望第99-100页
参考文献第100-114页
作者简历第114-116页
致谢第116-117页
摘要第117-120页
Abstract第120-123页

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