| 内容提要 | 第1-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-40页 |
| ·前言 | 第9页 |
| ·纳米材料的发展过程和特性 | 第9-12页 |
| ·纳米材料的定义和分类 | 第9-10页 |
| ·纳米材料的发展历程 | 第10页 |
| ·纳米材料的特性 | 第10-12页 |
| ·一维纳米材料的生长、特性及应用 | 第12-18页 |
| ·一维纳米材料的生长机理 | 第12-16页 |
| ·一维纳米材料的特性及应用 | 第16-18页 |
| ·碳化硅材料发展历史及其结构 | 第18-23页 |
| ·SiC的发展历史 | 第18-20页 |
| ·SiC单晶的结构 | 第20-23页 |
| ·一维碳化硅纳米材料制备研究进展、性质和应用 | 第23-29页 |
| ·碳化硅一维纳米材料制备方法 | 第23-25页 |
| ·SiC一维纳米材料的性能及应用 | 第25-29页 |
| ·论文选题背景及研究内容 | 第29-31页 |
| ·选题背景 | 第29-30页 |
| ·主要研究内容 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-40页 |
| 第2章 生长方法及测试仪器 | 第40-48页 |
| ·生长方法 | 第40-43页 |
| ·生长装置 | 第40-42页 |
| ·实验方法 | 第42-43页 |
| ·测试方法 | 第43-48页 |
| ·X射线衍射(XRD)和X射线光电子谱(XPS) | 第43-44页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第44页 |
| ·拉曼光谱仪(Raman Spectroscopy) | 第44-45页 |
| ·光致发光光谱(PL) | 第45页 |
| ·透射电子显微镜(Transmission electron microscopy,TEM) | 第45-46页 |
| ·红外光谱仪(IR) | 第46-47页 |
| ·场致电子发射 | 第47-48页 |
| 第3章 甲醇热分解法制备SiC-SiO_2核-壳结构及表征 | 第48-71页 |
| ·乙醇热分解法纳米电缆制备方法及催化剂变化分析 | 第48-54页 |
| ·乙醇热分解制备纳米电缆的方法 | 第48-50页 |
| ·温度对催化剂分散及纳米电缆分布的影响 | 第50-52页 |
| ·合成过程中催化剂的变化分析 | 第52-54页 |
| ·纳米电缆组分、形貌和微观结构 | 第54-57页 |
| ·纳米电缆组分(XPS分析) | 第54-55页 |
| ·纳米电缆的形貌及微观结构 | 第55-56页 |
| ·分支现象及其机理 | 第56-57页 |
| ·对含有纳米电缆的硅片表面SEM和拉曼光谱分析 | 第57-60页 |
| ·SEM观察 | 第58页 |
| ·拉曼分析 | 第58-60页 |
| ·生长条件对纳米电缆形貌的影响 | 第60-63页 |
| ·高浓度甲醇下生长的纳米电缆 | 第61-62页 |
| ·多量催化剂覆盖时生长的纳米电缆形貌 | 第62-63页 |
| ·甲醇浓度较低的情况下二氧化硅纳米线和纳米电缆同时生长 | 第63页 |
| ·纳米线的光学性质 | 第63-67页 |
| ·红外吸收 | 第63-66页 |
| ·光致发光 | 第66-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 第4章 乙醇热分解法制备SiC-SiO_2纳米电缆及其表征 | 第71-93页 |
| ·乙醇热分解概述及混合催化剂的利用 | 第71-73页 |
| ·乙醇热分解法制备的SiC-SiO_2纳米电缆的组分、形貌及微观结构 | 第73-79页 |
| ·SiC-SiO_2纳米电缆XRD、SEM及EDX分析 | 第73-75页 |
| ·SiC-SiO_2纳米电缆微观结构、拉曼光谱和红外光谱分析 | 第75-79页 |
| ·乙醇浓度对纳米电缆尺寸和微观结构的影响,FTIR及PL分析 | 第79-85页 |
| ·乙醇浓度对纳米电缆尺寸和微观结构的影响 | 第79-80页 |
| ·不同流速比下生长的纳米电缆FTIR光谱分析 | 第80-83页 |
| ·光致发光(PL)性能 | 第83-85页 |
| ·乙醇热分解法纳米电缆生长机理 | 第85-86页 |
| ·本章小结 | 第86-87页 |
| 参考文献 | 第87-93页 |
| 第五章 特殊纳米结构生长和表征 | 第93-116页 |
| ·碳纳米颗粒修饰的SiC-SiO_2纳米电缆生长和其光学性能 | 第93-99页 |
| ·生长过程 | 第93-94页 |
| ·XRD分析 | 第94页 |
| ·形貌和微观结构 | 第94-96页 |
| ·拉曼光谱分析 | 第96-98页 |
| ·光致发光分析 | 第98-99页 |
| ·SiC/SiO_2/C三重同轴纳米电缆生长和其EL性能 | 第99-106页 |
| ·XRD分析 | 第100页 |
| ·SiC-SiO_2-C三重同轴纳米电缆的形貌,微观结构 | 第100-102页 |
| ·拉曼光谱和EDX能谱 | 第102-103页 |
| ·场致电子发射性质 | 第103-106页 |
| ·SiCSiC-SiO_2狼牙棒核壳纳米结构生长以及其表征 | 第106-113页 |
| ·XRD分析 | 第106-107页 |
| ·形貌和微观结构 | 第107-109页 |
| ·SiC-SiO_2狼牙棒核壳纳米结构生长机理 | 第109-111页 |
| ·FTIR和光致发光光谱 | 第111-113页 |
| ·本章小结 | 第113页 |
| 参考文献 | 第113-116页 |
| 第6章 总结与展望 | 第116-118页 |
| ·总结 | 第116-117页 |
| ·展望 | 第117-118页 |
| 作者简历 | 第118-120页 |
| 致谢 | 第120-121页 |
| 摘要 | 第121-123页 |
| Abstract | 第123-125页 |
