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基于0.18μmCMOS工艺的2.4GHz低噪声放大器的设计与实现

摘要第1-10页
ABSTRACT第10-11页
第一章 绪论第11-16页
   ·课题研究背景现状以及意义第11-13页
     ·课题背景第11页
     ·研究现状第11-12页
     ·研究意义第12-13页
   ·低噪声放大器的设计指标第13-15页
   ·论文主要工作及组织结构第15-16页
第二章 器件特性、噪声模型、线性度和稳定性第16-34页
   ·器件特性第16-25页
     ·MOSFET 模型及特性分析第16-21页
     ·平面螺旋电感特性第21-23页
     ·MIM 电容特性第23-24页
     ·电阻特性第24-25页
   ·器件噪声第25-27页
     ·热噪声第25-26页
     ·闪烁噪声第26页
     ·散粒噪声第26-27页
     ·脉冲噪声第27页
     ·雪崩噪声第27页
   ·MOSFET 噪声特性分析第27-29页
   ·非线性特性分析第29-32页
   ·稳定性分析第32-34页
第三章 基本LNA 电路结构分析和比较第34-38页
   ·输入端并联电阻的共源放大器第34-35页
   ·共栅放大器结构第35-36页
   ·并联-串联反馈放大器结构第36-37页
   ·电感源极负反馈放大器第37-38页
第四章 CMOS LNA 的设计与实现第38-49页
   ·双端口网络的S 参数介绍第38-39页
   ·电路噪声分析第39-42页
     ·经典两端口网络噪声理论第39-41页
     ·MOSFET 两端口网络噪声分析第41-42页
   ·输入阻抗匹配条件下电路设计第42-44页
   ·功率约束下的电路设计第44-46页
   ·共源共栅LNA第46页
   ·输出阻抗匹配第46-49页
第五章 电路及版图模拟结果分析第49-54页
   ·LNA 的电路结构第49-50页
   ·LNA 电路仿真结果第50-52页
   ·LNA 版图设计第52-54页
第六章 结束语第54-56页
致谢第56-57页
参考文献第57-59页
作者在学期间取得的学术成果第59-60页
附录A MOSFET 的EKV 模型第60-61页
附录B SMITH 圆图第61-62页

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